发明名称 薄膜电晶体结构及其制造方法
摘要 一种薄膜电晶体结构及其制造方法。此薄膜电晶体结构包括长条状矽岛、闸极、第一与第二离子掺杂区。长条状矽岛为具有预定的短边与长边的薄膜区域,或更具有大致与前述短边方向平行的多数个横向晶界。闸极配置在前述长条状矽岛上且与前述横向晶界大致平行。第一与第二离子掺杂区,分别沿着前述长条状矽岛的长边方向,配置在前述长条状矽岛中的两侧,与前述闸极大致垂直,做为前述薄膜电晶体的源极与汲极。
申请公布号 TW200735368 申请公布日期 2007.09.16
申请号 TW095107552 申请日期 2006.03.07
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 陈麒麟;陈昱丞;吴兴华;刘柏村
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/30(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号