发明名称 | 薄膜电晶体结构及其制造方法 | ||
摘要 | 一种薄膜电晶体结构及其制造方法。此薄膜电晶体结构包括长条状矽岛、闸极、第一与第二离子掺杂区。长条状矽岛为具有预定的短边与长边的薄膜区域,或更具有大致与前述短边方向平行的多数个横向晶界。闸极配置在前述长条状矽岛上且与前述横向晶界大致平行。第一与第二离子掺杂区,分别沿着前述长条状矽岛的长边方向,配置在前述长条状矽岛中的两侧,与前述闸极大致垂直,做为前述薄膜电晶体的源极与汲极。 | ||
申请公布号 | TW200735368 | 申请公布日期 | 2007.09.16 |
申请号 | TW095107552 | 申请日期 | 2006.03.07 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈麒麟;陈昱丞;吴兴华;刘柏村 |
分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/30(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |