单闸极非挥发性快闪记忆体晶胞

摘要

一种非挥发性浮动闸极记忆体晶胞，具有一单多晶矽闸极，其与传统逻辑制程相容，并包含一属于第一种传导型之基板。第二种传导型之第一及第二区均位于基板内，彼此相间隔开以定义其间之通道区。第一闸极与基板绝缘并位于通道区之第一部份及第一区之上并与之有实质电容性耦合。第二闸极与基板绝缘并与第一闸极相隔开且位于通道区之第二部份上，与第一部份不同的为，其与第二区仅有些许交叠或没有交叠。