分离闸极式记忆单元及其形成方法

摘要

本发明揭示一种分离闸极式记忆单元。一浮置闸极设置于一基底上并与其绝缘。基底具有一主动区，其由一对形成于基底内的隔离结构所分隔而成。浮置闸极设置于该对隔离结构之间且不与其上表面重叠。一上盖层设置于浮置闸极上。一控制闸极设置于浮置闸极之侧壁且与其绝缘并局部延伸至上盖层的上表面。一源极区形成于基底内并靠近浮置闸极的一侧。