半导体装置及其制造方法

摘要

在例如MOS电晶体等知半导体装置中，具有因背闸极区域的杂质浓度及其扩散形状，而容易使寄生电晶体动作之问题。在例如MOS电晶体等本发明的半导体装置中，系在N型磊晶层(4)中形成有：作为背闸极区域的P型扩散层(5)及作为汲极区域的N型扩散层(8)。在P型扩散层(5)系形成有作为源极区域的N型扩散层(7)及P型扩散层(6)。P型扩散层(6)系配合接触孔(15)的形状而以2次离子植入制程形成，并调整其表面部及深部的杂质浓度。藉由此构造，可缩小装置尺寸，且可抑制寄生NPN电晶体动作。