发明名称 |
使用牺牲互连片段之晶片上互连堆叠冷却 |
摘要 |
本发明系关于一种积体电路装置且系关于一种用于制造一具有一整合之流体冷却通道之积体电路装置的方法。该方法包含:在一介电层序列中,在电互连片段之所要横向位置处及在流体冷却通道片段之所要横向位置处形成凹处。在该介电层序列之该等凹处中沈积一金属填料以便形成该等电互连片段且在该等流体冷却通道片段中形成一牺牲填料。此后,自该等流体冷却通道片段选择性地移除该牺牲金属填料。 |
申请公布号 |
TW200735308 |
申请公布日期 |
2007.09.16 |
申请号 |
TW095147230 |
申请日期 |
2006.12.15 |
申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司;微电子克罗里2公司 ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS 法国 |
发明人 |
罗伦 高赛;文森 阿诺 |
分类号 |
H01L23/367(2006.01);H01L23/46(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/367(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
荷兰 |