发明名称 |
半导体装置及半导体装置之制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种能提升经覆晶安装之半导体晶片的散热性之半导体装置。半导体装置10包含:基板20、覆晶安装于基板20之半导体晶片30及密封半导体晶片30周围之密封树脂层40。在半导体晶片30周围形成有密封半导体晶片30之密封树脂层40。在此半导体装置10中,半导体晶片30之背面系露出,且相对于密封树脂层40之上面为凸部。 |
申请公布号 |
TW200735307 |
申请公布日期 |
2007.09.16 |
申请号 |
TW095141817 |
申请日期 |
2006.11.10 |
申请人 |
新力股份有限公司;新力电脑娱乐股份有限公司 |
发明人 |
大出知志;金山富士夫;足立充;新美哲永;草野英俊;西谷佑司 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01);H01L21/56(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
日本 |