| 摘要 |
一种制造快闪记忆体元件之方法，包括：蚀刻在一基板上方所提供之一绝缘层以形成及界定一接触孔，该接触孔暴露在该基板上所形成之一接面区域；以一第一导电材料填充该接触孔，该第一导电材料接触该接面区域且延伸于该接触孔之上表面上方；蚀刻该第一导电材料以部分填充该接触孔，以便该第一导电材料填充该接触孔之下部分，其中该接触孔之上部分因该第一导电材料之蚀刻而维持未被填充，其中该蚀刻第一导电材料界定一接触插塞；在该接触插塞上方形成一第一介电层及一第二介电层，藉以填充该接触孔之上部分；蚀刻该第一及第二介电层之部分以暴露该接触插塞及该接触孔之上部分；以及，在该接触插塞上形成一第二导电材料及填充该接触孔之上部分来形成一位元线。 |
