| 摘要 |
本发明之目的为提供一种于化学机械研磨半导体装置之被加工膜等时，能以足够的研磨速度进行研磨且能抑制浅碟化(dishing)之障壁用研磨液，以及使用该障壁用研磨液之化学机械研磨方法。依照本发明，障壁用研磨液至少包括：(a)下述式(I)所示之非离子性界面活性剂：(b)选自芳香族磺酸、芳香族羧酸及此等之衍生物所组成之族群中之至少一种有机酸，(c)胶体矽石及(d)苯并三唑或其衍生物；化学机械研磨方法之特征为：将上述研磨液以每半导体基板单位面积及每单位时间为0.035~0.25ml/(mincm2)之流量供给至研磨平台上之研磨垫，并使研磨垫与被研磨面在接触之状态下相对运动而进行研磨。 |
