半导体元件的制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法。首先于基底上依序形成第一闸氧化层及垫多晶矽层。移除基底之低压元件区的第一闸氧化层及垫多晶矽层。于基底上依序形成垫氧化层及罩幕层。图案化各层及基底，以于基底中形成数个沟渠。于沟渠中暴露的基底表面形成衬氧化层，并于基底之高压元件区之沟渠中暴露的部分垫多晶矽层边缘形成氧化矽结构。于沟渠中形成隔离结构。移除罩幕层、垫氧化层及垫多晶矽层。于低压元件区的隔离结构之间的基底上形成第二闸氧化层。于第一闸氧化层及第二闸氧化层上形成闸极。