发明名称 运用能量传送层的快速热处理制程
摘要 一种在制程腔中对半导体晶圆实施热处理的方法,是一完整多步骤晶圆制程技术的中间部分,包括在至少一部分晶圆上涂布一能量传送层,并将此晶圆在制程腔内曝露于一能源,其方式是把晶圆依一热特性曲线处理以致于该能量传送层可影响至少一部分的上述热特性曲线。此热特性曲线至少有一个第一高温状况。此方法进一步包括,依特性曲线的时间安排在制程腔内将能量传送层移除,至少使此晶圆足以接受后续步骤。本文也描述了此晶圆的相关中间情况。
申请公布号 TW200735164 申请公布日期 2007.09.16
申请号 TW095107119 申请日期 2006.03.03
申请人 玛森科技公司 发明人 保罗 J 堤马士
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L23/58(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 代理人 黄静嘉
主权项
地址 美国