| 发明名称 |
Procédé de fabrication de dispositifs à jonction p-n au silicium et nouveaux produits ainsi obtenus |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR1508395(A) |
申请公布日期 |
1968.01.05 |
| 申请号 |
FR19660085391 |
申请日期 |
1966.11.29 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/24;H01L29/92 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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