| 发明名称 | 平面型雪崩光电二极管 | ||
| 摘要 | 一种平面型雪崩光电二极管，包括装置上部的小的局部接触层、和定义下部接触区的半导体层，该局部接触层或者由扩散工艺或者由蚀刻工艺制造。半导体倍增层位于该两接触区之间，而半导体吸收层位于倍增层和上部接触层之间。该光电二极管在半导体倍增层和吸收层边缘附近，有低的电容和低的场。 | ||
| 申请公布号 | CN101036216A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200480043236.8 | 申请日期 | 2004.04.30 |
| 申请人 | 派克米瑞斯有限责任公司 | 发明人 | 柯呈佶;巴里·莱维尼 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/22(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蒋世迅 |
| 主权项 | 1.一种平面型雪崩光电二极管，包括：第一接触层；有扩散区的第一半导体层，该扩散区有比第一半导体层更小的面积，并且其位置邻近第一接触层；定义第二接触层的第二半导体层；位于第一和第二接触层之间的半导体倍增层；和位于半导体倍增层和第一半导体层之间的半导体吸收层，该光电二极管在吸收层和倍增层边缘附近，有低的电容和低的场。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||