宽应力区硅压力传感器

摘要

本发明属于半导体压力传感器技术领域，其特征在于：所述传感器包括应力区展宽了的感压膜和其周围的支撑部分，压敏电阻制作在跨越感压膜边界的大应力区内，组成惠斯通电桥，把压力变化转换成电信号输出；所述压敏电阻其垂直于感压膜边界的折数要大于平行于边界的压敏电阻的折数，以符合高应力区的形状；在电阻转折处的电阻条宽大于正常的电阻条宽，同时进行高浓度离子注入，以减小转折处的电阻值；所述感压膜的厚宽比尽可能大，以满足对边界外高应力区宽度的要求。本发明在芯片面积缩小、不缩小线条的条件下，利用膜外高应力区，增大应力区面积，以达到提高传感器的灵敏度和降低废品率的目的。

主权项

1.宽应力区硅压力传感器，具有一个硅杯结构，包括一个感压膜和其周围的作为支撑部分的厚体硅，以及组成惠斯通电桥的感应压力变化的四个压敏电阻，其特征在于：所述压敏电阻有一部分跨越了该感压膜的边界，分布在体硅上，使各个电阻都分布在边界两边的高应力区内；垂直于所述感压膜边界的压敏电阻的折数多于平行于所述感压膜边界的压敏电阻的折数，以便更符合高应力区的形状；所述感压膜的厚宽比在满足灵敏度的前提下尽可能大，以满足设定的对该膜边界外的高应力区宽度的要求。