具有堆叠的异质－掺杂缘及缓变漂移区的增强的RESURF HVPMOS器件

摘要

本发明揭示一种形成于衬底上的HV PMOS器件，所述衬底具有第一极性类型的HV井，所述HV井形成于第二极性类型的外延层中，所述HV PMOS器件包括一对位于衬底上并至少部分地位于HV井上方的场氧化物区。在衬底上所述场氧化物区之间形成绝缘栅极。在HV井中且与栅极的外边缘自对准地形成堆叠的异质－掺杂缘。在HV井中在栅极的内边缘之间并与栅极的内边缘自对准地形成第一极性类型的缓冲区。在缓冲区中在栅极的内边缘之间并与栅极的内边缘自对准地形成第二极性类型的漂移区。所述漂移区包含具有缓慢掺杂剂浓度变化的区，并包含第二极性类型的漏极区。

主权项

1、一种用于形成HV PMOS器件的方法，其包括：提供具有第一极性类型的HV井的半导体衬底，所述HV井具有表面且形成于第二极性的外延层中；在所述衬底上形成一对或多对场氧化物区，所述场氧化物区至少部分地设置在所述HV井上方；在每一对场氧化物区之间的所述HV井上方形成一对或多对绝缘栅极，所述栅极具有相互面对的内边缘及面对所述场氧化物区中对应的一个场氧化物区的外边缘；对所述衬底进行遮罩，以暴露出所述栅极的预定外侧部分及与其邻近的所述HV井表面的预定部分；对所述HV井的暴露部分进行植入，以在其中形成所述第一极性类型的第一及第二槽区，所述槽区与所述栅极的外边缘自对准；对所述衬底进行遮罩，以暴露所述栅极的预定内侧部分及所述栅极之间的HV井表面；对所述HV井的暴露部分进行植入，以在其中分别形成所述第一及第二极性类型的缓冲区及漂移区，所述缓冲区及漂移区与所述栅极的内边缘自对准；对所述衬底进行遮罩，以暴露所述栅极的预定外侧部分、与其邻近的所述第一极性类型的第一及第二槽区的预定部分、及所述漂移区的预定部分；及对所述暴露区进行植入，以形成位于所述第一极性类型的第一及第二槽区内并与所述栅极的外边缘自对准的所述第二极性类型的第一及第二槽区，并在所述漂移区内形成所述第二极性类型的第三槽区。