| 发明名称 | 含有Ga的氮化物半导体单晶、其制造方法以及使用该结晶的基片和器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种含Ga氮化物半导体单晶，其特征在于：(a)对含Ga氮化物半导体单晶照射波长450nm的光测定的最大反射率为20％以下，最大反射率和最小反射率之差为10％以内；(b)通过阴极发光法测定的位错密度的最大值和最小值之比(最大值/最小值)为10以下；(c)通过时间分辨发光法测定的寿命为95ps以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101035933A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200580034210.1 | 申请日期 | 2005.08.05 |
| 申请人 | 三菱化学株式会社 | 发明人 | 清见和正;长冈裕文;太田弘贵;藤村勇夫 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);C23C16/01(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1.一种含Ga氮化物半导体单晶，其具有用通式BxAlyGazIn1-x-y-zNsPtAs1-s-t(式中，0≤x≤1，0≤y＜1，0＜z≤1，0＜s≤1，0≤t＜1)表示的组成，并且，满足下述(a)、(b)、(c)中的至少一个：(a)对含Ga氮化物半导体单晶照射波长450nm的光而测定的最大反射率为20％以下，最大反射率和最小反射率之差为10％以内；(b)通过阴极发光法测定的位错密度的最大值和最小值之比(最大值/最小值)为10以下；(c)通过时间分辨发光法测定的寿命为95ps以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||