发明名称 | 半导体存储器、存储系统和半导体存储器的操作方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器、存储系统和半导体存储器的操作方法。半导体存储器响应于外部提供的存取请求而在多个存储块之一上执行存取操作。在这时,响应于存取请求,存储控制单元在存储块之一上执行存取操作并且在没有执行存取操作的存储块中的至少一个上执行刷新操作。结果,可以在存取操作的执行期间执行刷新操作而在存取操作与刷新操作之间没有任何冲突。结果,可以缩短存取周期,这可以改善数据传输速率。 | ||
申请公布号 | CN101034588A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
申请号 | CN200610091127.4 | 申请日期 | 2006.06.30 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 小林广之 |
分类号 | G11C11/406(2006.01) | 主分类号 | G11C11/406(2006.01) |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 宋鹤 |
主权项 | 1.一种半导体存储器,包括:多个存储块,每个存储块都具有存储单元;命令输入单元,从所述半导体存储器的外部接收用于执行存取操作的存取请求,在所述存取操作中将数据输入到所述存储块之一或将数据从所述存储块之一输出;以及存储控制单元,响应于所述存取请求而在所述存储块之一上执行存取操作并且在没有执行存取操作的存储块中的至少一个上执行刷新操作。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |