发明名称 掺杂银氧化锡电触头材料及其制备方法
摘要 掺杂银氧化锡电触头材料,质量百分组成为:银85~89.5%,二氧化锡10~14.5%,氧化钨0.5~1.5%。制备方法包括采用共沉淀法制取Ag包覆SnO<SUB>2</SUB>复合粉末,掺入氧化钨,球磨,压形烧结,热锻或挤压拉拔后冲压成形。本发明采用化学包覆法制备银包覆氧化锡复合粉末,掺入另一种金属氧化物后并结合粉末烧结、热锻或挤压拉拔工艺,制备出具有优良的综合性能AgSnO<SUB>2</SUB>触头材料。本发明提出了一种切实可行的工艺路线,使弥散的氧化锡和银基体之间接合牢固,并改善了后续加工工艺,提高产品的综合性能。
申请公布号 CN101034633A 申请公布日期 2007.09.12
申请号 CN200610031317.7 申请日期 2006.03.08
申请人 中南大学 发明人 甘卫平;李晶;周兆锋;杨伏良;林炳
分类号 H01H1/023(2006.01);H01H1/0237(2006.01) 主分类号 H01H1/023(2006.01)
代理机构 中南大学专利中心 代理人 龚灿凡
主权项 1.掺杂银氧化锡电触头材料,其特征在于:质量百分组成为:银85~89.5%,二氧化锡10~14.5%,氧化钨0.5~1.5%。
地址 410083湖南省长沙市麓山南路1号