发明名称 | 含硅薄膜的形成方法与减少微粒数目的方法 | ||
摘要 | 一种含硅薄膜的形成方法,此方法是将衬底置于反应室,然后于反应室中导入一含硅气体,以进行化学气相沉积工艺,而于衬底上形成含硅薄膜,其中,至少控制反应室上内壁的温度低于50℃。 | ||
申请公布号 | CN101033541A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
申请号 | CN200610058935.0 | 申请日期 | 2006.03.08 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘哲宏;郑博伦;庄慧伶;林俊安 |
分类号 | C23C16/448(2006.01);C23C16/24(2006.01);C23C16/52(2006.01) | 主分类号 | C23C16/448(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 1.一种含硅薄膜的形成方法,该方法包括:将一衬底置于一反应室中;以及于该反应室中导入一含硅气体,以进行一化学气相沉积工艺,于该衬底上形成该含硅薄膜,其中,至少控制该反应室上内壁的温度低于50℃。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |