发明名称 |
晶片分割方法 |
摘要 |
本发明提供不降低分割成单个的芯片的耐折断强度地分割晶片的晶片分割方法。一种沿分割预定线分割在表面形成有分割预定线的晶片的晶片分割方法,包括以下工序:在晶片的表面粘贴保护带;将晶片的保护带侧保持在激光加工装置的保持被加工物的卡盘台上;从晶片的背面侧沿分割预定线照射波长对保持在卡盘台上的晶片具有透射性的激光光线,在晶片的内部形成变质层;用吸附面具有多孔质树脂层的吸附垫吸引保持晶片的背面,从卡盘台搬出晶片;保持背面被吸引保持在吸附垫上的晶片的表面,而且从晶片的背面上取下吸附垫,并将安装在环形的框架上的粘接带粘贴到晶片的背面上;使外力作用在晶片上,由此使晶片沿分割预定线断裂。 |
申请公布号 |
CN101032843A |
申请公布日期 |
2007.09.12 |
申请号 |
CN200710085658.7 |
申请日期 |
2007.03.06 |
申请人 |
株式会社迪斯科 |
发明人 |
小林贤史;饭塚健太吕;大宫直树 |
分类号 |
B28D5/00(2006.01);H01L21/304(2006.01) |
主分类号 |
B28D5/00(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
胡建新 |
主权项 |
1.一种晶片分割方法,将表面形成有分割预定线的晶片沿该分割预定线分割,其特征在于,包括以下工序:保护带粘贴工序,在该晶片的表面粘贴保护带;晶片保持工序,将晶片的保护带侧保持在激光加工装置的保持被加工物的卡盘台上;变质层形成工序,从晶片的背面侧沿该分割预定线向保持在该卡盘台上的晶片照射波长对该晶片具有透射性的激光光线,在晶片的内部沿该分割预定线形成变质层;晶片搬出工序,在实施了该变质层形成工序后,用吸附面具有多孔质树脂层的吸附垫来吸引保持被保持在该卡盘台上的晶片的背面,从该卡盘台搬出晶片;晶片支持工序,保持背面被吸引保持在该吸附垫上的晶片的表面,而且从晶片的背面取下该吸附垫,并将安装在环形的框架上的粘接带粘贴到晶片的背面上,通过该粘接带将晶片支持在该环形的框架上;以及晶片断裂工序,使外力作用在通过该粘接带而被支持在该环形的框架上的晶片上,由此使晶片沿形成了该变质层的该分割预定线断裂。 |
地址 |
日本东京都 |