| 发明名称 | 半导体存储装置中的地址缓冲器及缓冲地址的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置中的地址缓冲器，包括：地址输入单元，其根据缓冲使能信号及输入地址来产生第一锁存输入地址。时钟同步单元，其根据第一锁存输入地址及时钟来产生第二锁存输入地址。同步地址锁存单元，其根据命令脉冲信号及第二锁存输入地址来产生同步输出地址。同步模式检测单元，其根据有效地址信号及时钟来确定模式是否为同步模式，以产生同步模式信号。异步地址锁存单元，其根据同步模式信号、地址选通信号以及第二锁存输入地址来产生异步输出地址。 | ||
| 申请公布号 | CN101034587A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200710003220.X | 申请日期 | 2007.01.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李相权 |
| 分类号 | G11C8/06(2006.01) | 主分类号 | G11C8/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置中的地址缓冲器，包括：地址输入单元，其配置成从缓冲使能信号及输入地址来产生第一锁存输入地址；时钟同步单元，其配置成根据所述第一锁存输入地址及时钟来产生第二锁存输入地址；同步地址锁存单元，其配置成根据命令脉冲信号及所述第二锁存输入地址来产生同步输出地址；同步模式检测单元，其配置成根据有效地址信号及所述时钟来确定模式是否为同步模式，以产生同步模式信号；以及异步地址锁存单元，其配置成根据所述同步模式信号、地址选通信号以及所述第二锁存输入地址来产生异步输出地址。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||