发明名称 非易失性触发器
摘要 本发明的非易失性触发器,包括:触发器部(4),其具有一对用于存储一对逆逻辑的数据的存储结点(5、6);一对非易失性电阻变化元件(11、12),其借助开关元件(9,10)分别与上述一对存储结点(5、6)连接,其电阻以可保存的方式变化,该非易失性触发器的结构为:在存储动作中,可以根据上述一对存储结点(5、6)的各自的电位改变上述一对非易失性电阻变化元件(11、12)的电阻,在检索动作中,可以将上述一对存储结点(5、6)的每一个设定为与上述一对非易失性电阻变化元件(11、12)的电阻差对应的电位。
申请公布号 CN100337333C 申请公布日期 2007.09.12
申请号 CN03808090.7 申请日期 2003.04.02
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 大塚隆;田中英行
分类号 H01L27/105(2006.01);H01L27/11(2006.01);H01L29/788(2006.01);H03K3/356(2006.01);G11C11/40(2006.01) 主分类号 H01L27/105(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 龙淳
主权项 1.一种非易失性触发器,其特征在于,包括:触发器部,其具有一对用于存储一对逆逻辑的数据的存储结点;一对非易失性电阻变化元件,其分别与所述一对存储结点连接,其电阻以可保存的方式变化,该非易失性触发器的结构为,在存储动作中,相应于所述一对存储结点的各电位,使所述一对非易失性电阻变化元件的电阻变化;在检索动作中,将所述一对存储结点的每一个设定为与所述一对非易失性电阻变化元件的电阻差相对应的电位,其中,在存储动作中,相应于所述一对存储结点的各电位,使所述一对非易失性电阻变化元件的一方成为高电阻状态,同时使另一方成为低电阻状态,在检索动作中,相应于所述一对非易失性电阻变化元件的电阻差,使所述一对存储结点的一方成为高电位,同时使另一方成为低电位;所述一对非易失性电阻变化元件都是由相变材料构成的,该相变材料在非晶形状态下为高电阻状态,在结晶状态下为低电阻状态。
地址 日本大阪府