| 发明名称 | 在半导体装置中形成金属接点的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在半导体装置中形成金属接点的方法，包括下述步骤：在基板上形成一连接有金属线的底部线；在包含基板及底部线的基板结构的整个表面上形成一层间绝缘层；在该层间绝缘层上形成一金属接点硬屏蔽层；形成一光敏层图案，其定义出在该金属接点硬屏蔽层上的接触孔；通过使用该光敏层图案作为蚀刻阻挡层对该金属接点硬屏蔽层进行蚀刻；使用该已蚀刻金属接点硬屏蔽层作为蚀刻阻挡层对该层间绝缘层进行蚀刻，因此形成接触孔；以及在该接触孔内形成连接于基板的金属接点。 | ||
| 申请公布号 | CN100337321C | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200410088495.4 | 申请日期 | 2004.11.03 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 银炳秀 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种在半导体装置中形成金属接点的方法，包括下述步骤：在基板上形成一底部线；在包含基板及底部线的基板结构的整个表面上形成一层间绝缘层；在该层间绝缘层上形成一金属接点硬屏蔽层；其中，该金属节点硬屏蔽层的一半和另一半通过两步沉积形成；形成一光敏层图案，其定义在该金属接点硬屏蔽层上的接触孔；通过使用该光敏层图案作为蚀刻阻挡层对该金属接点硬屏蔽层进行蚀刻；使用该已蚀刻金属接点硬屏蔽层作为蚀刻阻挡层对该层间绝缘层进行蚀刻，因此形成接触孔；以及在该接触孔内形成连接于该底部线的金属接点。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||