| 发明名称 | 光探测器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光探测装置，包括：半导体衬底(101)，其由作为基底材料的硅构成并包含预定浓度的碳；和外延层(102)，其形成在半导体衬底(101)上并由作为基底材料的硅构成，该外延层(102)包括远离半导体衬底(101)预定距离的光探测单元(主要是104)，其中半导体衬底(101)使用晶体生长方法由通过熔化包含硅的材料和包含碳的材料获得的熔化物形成，因此碳以预定浓度包含在半导体衬底(101)中。 | ||
| 申请公布号 | CN101034714A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200710085717.0 | 申请日期 | 2007.03.06 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 平井纯;铃木政胜;村上一朗;广藤裕一 |
| 分类号 | H01L27/148(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L31/08(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L27/148(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种光探测装置，包括：半导体衬底，其由作为基底材料的第一元素构成，并包含预定浓度的第二元素，该第二元素是第一元素的同调元素；和外延层，其形成在半导体衬底上并由作为基底材料的第一元素构成，该外延层包括远离半导体衬底预定距离的光探测单元，其中该半导体衬底使用晶体生长方法由通过熔化包含第一元素的材料和包含第二元素的材料获得的熔化物形成，从而第二元素以预定浓度包含在该半导体衬底中。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||