| 发明名称 | 从蚀刻沟槽中移除聚合物涂层的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种从限定在硅晶片[5]中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法。该方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O<SUB>2</SUB>等离子体蚀刻晶片。室温度在90～180℃范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN101036218A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200580033918.5 | 申请日期 | 2005.10.04 |
| 申请人 | 西尔弗布鲁克研究有限公司 | 发明人 | 达雷尔·拉鲁埃·麦克雷诺兹;卡·西尔弗布鲁克 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01);H01L21/308(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种从限定在硅晶片中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法，所述方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O2等离子体蚀刻所述晶片，其中所述室的温度为90～180℃。 | ||
| 地址 | 澳大利亚新南威尔士 | ||