| 发明名称 | 在形成硅化镍之前对硅进行的处理 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种制备半导体电路小片的方法，其包括：在形成硅化物(105)之前，预处理暴露的硅(101)以形成氧化物(110)；及在氧化物上沉积金属(120)。在所揭示实施例中，化学氧化物表面预处理会减缓镍(Ni)的扩散，以使NiSi硅化物的形成受控。此会解决Ni快速扩散及Ni掩饰Si硅瑕疵这一问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101036230A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200580033542.8 | 申请日期 | 2005.08.10 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 休－埃伦·克兰克;希林·西迪基;德博拉·J·赖利;特雷斯·昆廷·赫德;佩君·J·陈 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01);H01L29/76(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L31/062(2006.01);H01L23/48(2006.01) | 主分类号 | H01L29/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1、一种制备电路小片的方法，其包括：在硅化物形成之前，处理暴露的硅以形成氧化物；及在所述氧化物上沉积金属。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||