发明名称 |
带有晶体管衬底偏置的集成电路的抑制闩锁电路 |
摘要 |
本发明提供诸如可编程逻辑器件集成电路之类的集成电路,其包括衬底偏置或体偏置金属氧化物半导体晶体管和抑制闩锁电路。抑制闩锁电路抑制在金属氧化物半导体晶体管中发生闩锁。可以从外部源接收衬底偏置信号,或者从内部产生衬底偏置信号。衬底偏置路径用来分配衬底偏置信号到金属氧化物半导体晶体管的衬底端。抑制闩锁电路可以包括有源n沟道和p沟道金属氧化物晶体管抑制闩锁电路。所述抑制闩锁电路监视电源信号的状态来判定是否有潜在的闩锁状态出现。如果所述抑制闩锁电路判定核心逻辑电源信号和地电源有效,同时衬底偏置信号无效,则衬底偏置路径能够箝位在安全电压,以抑制在金属氧化物半导体晶体管中发生闩锁。 |
申请公布号 |
CN101034884A |
申请公布日期 |
2007.09.12 |
申请号 |
CN200710084734.2 |
申请日期 |
2007.02.28 |
申请人 |
阿尔特拉公司 |
发明人 |
S·佩里塞地 |
分类号 |
H03K3/037(2006.01);H03K3/356(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H03K3/037(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
1.一种集成电路包括:每一个都带有衬底端的金属氧化物半导体晶体管;输入-输出管脚,电源通过所述输入-输出管脚被提供给所述集成电路;衬底偏置路径,其分配衬底偏置信号到所述金属氧化物半导体晶体管的所述衬底端;以及有源抑制闩锁电路,其监视所述电源信号来检测所述金属氧化物半导体晶体管的潜在闩锁状态,并且把所述衬底偏置路径保持在安全电压,以在出现所述潜在闩锁状态时抑制所述金属氧化物半导体晶体管中的闩锁。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |