一种化合物半导体复合膜

摘要

本发明提供了一种化合物半导体材料及其制造工艺，特别涉及一种具有大面积、微结构的化合物半导体复合薄膜。包括具有纳米尺寸的二维半导体材料、一维半导体材料、零维半导体材料及具有阵列点阵的半导体材料。一种半导体复合薄膜的制造工艺，它是利用核径迹蚀刻技术在电介质薄膜上蚀刻出微孔，再在微孔中沉积填充化合物半导体材料。填充方法具有模板法限位生长的特性，又有溶胶凝胶法化合物半导体组成、成分易于控制的特性，并利用电化学生长进行控制的特性。

主权项

1、本发明涉及一种半导体复合薄膜的制造工艺，它的特征是利用核径迹蚀刻技术在电介质薄膜上蚀刻出微孔，再在微孔中沉积化合物半导体材料。