| 发明名称 | 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层；降低衬底的温度，生长缓冲层；最后升高衬底的温度，生长高结晶质量的氮化铟层。 | ||
| 申请公布号 | CN100336942C | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200410046194.5 | 申请日期 | 2004.06.02 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 肖红领;王晓亮;王军喜;张南红;刘宏新;曾一平 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化铝氮化层；降低衬底的温度，生长低温氮化铟缓冲层；最后升高衬底的温度，生长高结晶质量的氮化铟层。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||