| 发明名称 | 一种半导体端面泵浦的微片激光器 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种半导体端面泵浦的微片激光器，其激光器包括LD泵浦源和光学耦合系统、激光增益介质、倍频晶体和微片激光器，其中在激光增益介质和倍频晶体之间设置泵浦光吸收体，采用以上结构，激光增益介质产生激光振荡，而泵浦光吸收体吸收了激光增益介质吸收剩余部分的泵浦光，即可产生焦距较短的热透镜，使激光振荡的基模落在倍频晶体上的直径变得小，如此有效地降低泵浦阈值和提高半导体端面泵浦的微片激光器的倍频效率。 | ||
| 申请公布号 | CN200947526Y | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200620076491.9 | 申请日期 | 2006.09.11 |
| 申请人 | 福州高意通讯有限公司 | 发明人 | 黄富泉;吴砺 |
| 分类号 | H01S3/102(2006.01);H01S3/109(2006.01);H01S3/0941(2006.01) | 主分类号 | H01S3/102(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种半导体端面泵浦的微片激光器，包括一组LD泵浦源和光学耦合系统、激光增益介质、倍频晶体和微片激光器，其特征在于：在激光增益介质和倍频晶体之间设置泵浦光吸收体。 | ||
| 地址 | 350014福建省福州市晋安区福兴大道39号 | ||