磁传感器及其制造方法、电子设备

摘要

本发明公开一种磁传感器及其制造方法、电子设备。所述磁传感器具有磁场感应部分并检测两个或更多磁场。所述磁场感应部分具有包括Ni、Fe和Co为主要成分并具有磁致电阻效应的合金金属薄膜；待测磁场中的至少一个是2.5mT或更大。在待测磁场之中，最小磁场与最大磁场间相差0.5mT或更多。所示合金金属薄膜具有1.5×10^－5或更小的磁致伸缩常数(λ)绝对值，80e或更大且160e或更小的各向异性磁场(H_k)，以及2.5％或更大的磁致电阻改变率。所述合金金属薄膜在同时满足以下关系的组成范围之内：21x+19y≤1869，5x+28y≥546，y≤11，x+y≥85，其中Ni的组成比按重量由x％代表，Co的组成比按重量由y％代表。

主权项

1.一种磁传感器，具有磁场感应部分并检测两个或更多磁场，所述磁场感应部分具有合金金属薄膜，所述合金金属薄膜包括Ni、Fe和Co作为主要成分并具有磁致电阻效应，待测磁场中的至少一个是2.5mT或更大，在待测磁场之中，最小磁场与最大磁场之间相差0.5mT或更多，其中，所述合金金属薄膜具有1.5×10-5或更小的磁致伸缩常数(λ)绝对值，8Oe或更大且16Oe或更小的各向异性磁场(Hk)，并具有2.5％或更大的磁致电阻改变率。