| 主权项 |
1.一种高频信号驱动电路,包括: 一第一运算放大器,包含耦接于一第一参考电压之 一第一第一输入端,一第一第二输入端,以及一第 一输出端; 一第二运算放大器,包含耦接于一第二参考电压之 一第二第一输入端,一第二第二输入端,以及一第 二输出端; 一第一第一型MOS电晶体,具有耦接于一第一电压位 准之第一汲极,耦接于上述第一输出端之第一闸极 ,以及耦接于上述第一第二输入端之第一源极; 一第一第二型MOS电晶体,具有耦接于一第二电压位 准之第二汲极,耦接于上述第二输出端之第二闸极 ,以及耦接于上述第二第二输入端之第源极; 一匹配阻抗,具有一阻値,耦接于上述第一源极与 第二源极之间; 一第二第一型MOS电晶体,具有耦接于上述第一电压 位准之第三汲极,耦接于上述第一输出端之第三闸 极,以及一第三源极; 一第二第二型MOS电晶体,具有耦接于上述第二电压 位准之第四汲极,耦接于上述第二输出端之第四闸 极,以及一第四源极; 一负载阻抗,具有一第一端子以及一第二端子并具 有上述阻値;以及 一切换装置,用以同时电性连接上述第一端子与上 述第三源极以及上述第二端子与上述第四源极,或 上述第一端子与上述第四源极以及上述第二端子 与上述第三源极。 2.如申请专利范围第1项所述之高频信号驱动电路, 其中上述第一第一型MoS电晶体与第二第一型MOS电 晶体之尺寸相同。 3.如申请专利范围第2项所述之高频信号驱动电路, 其中上述第一第二型MOS电晶体与第二第二型MOS电 晶体之尺寸相同。 4.如申请专利范围第1项所述之高频信号驱动电路, 其中上述第一第一型MOS电晶体与第二第一型MOS电 晶体系NMOS电晶体。 5.如申请专利范围第1项所述之高频信号驱动电路, 其中上述第一第二型MOS电晶体与第二第二型MOS电 晶体系PMOS电晶体。 6.如申请专利范围第1项所述之高频信号驱动电路, 其中上述切换装置包括: 一第一传送闸,耦接于上述第一端子以及上述第三 源极之间; 一第二传送闸,耦接于上述第一端子以及上述第四 源极之间; 一第三传送闸,耦接于上述第二端子以及上述第三 源极之间;以及 一第四传送闸,耦接于上述第二端子以及上述第四 源极之间。 7.如申请专利范围第6项所述之高频信号驱动电路, 其中上述第一传送闸系与第三传送闸同时导通。 8.如申请专利范围第7项所述之高频信号驱动电路, 其中上述第二传送闸系与第四传送闸同时导通。 9.如申请专利范围第1项所述之高频信号驱动电路, 其中上述匹配阻抗与上述第一源极之间更包括一 永久导通之第五传送闸。 10.如申请专利范围第1项所述之高频信号驱动电路 ,其中上述匹配阻抗与上述第二源极之间更包括一 永久导通之第六传送闸。 图式简单说明: 第1图系显示传统驱动电路之电路图。 第2A图系显示根据本发明实施例所述之驱动电路 。 第2B图系显示与第2A图上半部分类似之电路图。 第2C图系显示与第2A图下半部分类似之电路图。 |
