发明名称 正型光阻组成物及光阻图型之形成方法
摘要 本发明系提供能减少线缘粗糙度(line edge roughnress),及具有优良解像性之正型光阻组成物。该组成物系含有(A)酸作用下可增加硷可溶性之树脂成分用,具有含多环式基之酸解离性溶解抑制基的(甲基)丙烯酸酯所衍生之构成单位(a1),具有含内酯之单环或多环式基的(甲基)丙烯酸酯所衍生之构成单位(a2),具有含羟基之多环式基的(甲基)丙烯酸酯所衍生之构成单位(a3)及构成单位(a2)、(a3)以外的具有含多环式基之非酸解离性溶解抑制基的(甲基)丙烯酸酯所衍生之构成单位(a4)的共聚物,以及(B)曝光下会产酸之酸发生剂用,下列一般式(b-1)或(b-2)所示至少一种之化合物。
申请公布号 TWI286670 申请公布日期 2007.09.11
申请号 TW093138146 申请日期 2004.12.09
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 羽田英夫;竹下优;林亮太郎;松丸省吾
分类号 G03F7/039(2006.01) 主分类号 G03F7/039(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种正型光阻组成物,其特征为,含有(A)酸作用下 可增加硷可溶性之树脂成分,及(B)曝光下会产酸之 酸发生剂成分的正型光阻组成物中, 树脂成分(A)为含有,具有含单环式或多环式基之酸 解离性溶解抑制基的(甲基)丙烯酸酯所衍生之构 成单位(a1),具有含内酯之单环式或多环式基的(甲 基)丙烯酸酯所衍生的构成单位(a2),具有含羟基之 多环式基的(甲基)丙烯酸酯所衍生之构成单位(a3) 及构成单位(a2)、(a3)以外之具有含多环式基之非 酸解离性溶解抑制基的(甲基)丙烯酸酯所衍生之 构成单位(a4)的共聚合物, 酸发生剂成分(B)为含有,下列一般式(b-1)及(b-2)所 示至少一种之化合物, (式中,X为至少一个氢原子受氟原子取代之碳数2至 6的伸烷基;Y及Z各自独立为至少一个氢原子受氟原 子取代之碳数1至10的烷基;R1至R3各自独立为碳数6~ 20之芳基或碳数1~10之烷基,且R1至R3中至少一个为 芳基)。 2.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中构 成单位(a1)为下列一般式(1)、(2)或(3) (式中,R为氢原子或碳数1~6之低级烷基;R1为碳数1~6 之低级烷基) (式中,R为氢原子或碳数1~6之低级烷基;R2及R3各自 独立为碳数1~6之低级烷基) (式中,R为氢原子或碳数1~6之低级烷基;R4为碳数4或 5之3级烷基) 所示至少一种之构成单位。 3.如申请专利范围第2项之正型光阻组成物,其中构 成单位(a1)为一般式(1)所示构成单位,且一般式(1) 中R1为甲基或乙基。 4.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中构 成单位(a2)为,具有含内酯之单环烷基或双环烷基 的(甲基)丙烯酸酯所衍生之构成单位。 5.如申请专利范围第4项之正型光阻组成物,其中构 成单位(a2)为,-丁内酯之(甲基)丙烯酸酯所衍生 的构成单位。 6.如申请专利范围第4项之正型光阻组成物,其中构 成单位(a2)为,降茨烷内酯之(甲基)丙烯酸酯所衍生 的构成单位。 7.如申请专利范围第6项之正型光阻组成物,其中构 成单位(a2)为下列一般式(9) (式中,R为氢原子或碳数1~6之低级烷基) 所示构成单位。 8.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中构 成单位(a3)为,具有含羟基之金刚烷基的(甲基)丙烯 酸酯所衍生之构成单位。 9.如申请专利范围第8项之正型光阻组成物,其中构 成单位(a3)为下列一般式(4) (式中,R为氢原子或碳数1~6之低级烷基) 所示构成单位。 10.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中 构成单位(a4)为三环癸基(甲基)丙烯酸酯、金刚烷 基(甲基)丙烯酸酯、四环十二烷基(甲基)丙烯酸酯 中所选出至少一种所衍生之构成单位。 11.如申请专利范围第10项之正型光阻组成物,其中 构成单位(a4)为下列一般式(11)所示构成单位, (式中,R为氢原子或碳数1~6之低级烷基)。 12.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中 树脂成分(A)之质量平均分子量为7500以下。 13.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中 树脂成分(A)中各构成单位(a1)至(a4)之比率为,构成 单位(a1)为25至50莫耳%,构成单位(a2)为25至50莫耳%, 构成单位(a3)为10至30莫耳%及构成单位(a4)为3至25莫 耳%。 14.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中 酸发生剂成分(B)另含有,以碳数1至7之直链状氟化 烷基磺酸离子为阴离子之盐系酸发生剂。 15.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中 另含有含氮有机化合物。 16.一种能减少LER及具有优良解像性之光阻图型之 形成方法,其特征为,使用如申请专利范围第1项之 正型光阻组成物于基板上形成光阻膜后,对光阻膜 进行选择性曝光处理,再硷显像以形成光阻图型。 17.一种光阻图型,其系使用如申请专利范围第1项 之正型光阻组成物于基板上形成光阻膜,对该光阻 膜进行选择性曝光处理后,经硷显像所形成之光阻 图型。
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