| 主权项 |
1.一种剥离洗净半导体基板或半导体元件之方法, 其系使用剥离剂组合物剥离洗净具有金属布线之 半导体基板或半导体元件之方法,前述剥离剂组合 物系包含藉由标准实验(A-1)之氧化铝溶解量为10 ppm以上之溶解剂和藉由标准实验(B-1)之铝蚀刻量 为7nm以下之抑制剂,但实质上不包含含氟化合物者 。 2.如请求项1之剥离洗净半导体基板或半导体元件 之方法,其中溶解剂系酸者。 3.如请求项1或2之剥离洗净半导体基板或半导体元 件之方法,其中抑制剂系无机酸盐及/或有机酸盐 者。 4.如请求项1或2之剥离洗净半导体基板或半导体元 件之方法,其中抑制剂系选自由羧酸盐、硫酸盐、 磺酸盐、膦酸盐、硝酸盐、盐酸盐及硼酸盐所组 成之群之一种以上之盐。 5.如请求项1或2之剥离洗净半导体基板或半导体元 件之方法,其中溶解剂与抑制剂之重量比(溶解剂/ 抑制剂)系2/1~1/30者。 6.如请求项1或2之剥离洗净半导体基板或半导体元 件之方法,其中含有水50重量%以上且pH为1~10。 7.如请求项1或2之剥离洗净半导体基板或半导体元 件之方法,其包含金属布线具有180 nm以下布线宽度 之铝布线。 8.一种剥离洗净半导体基板或半导体元件之方法, 其系使用剥离剂组合物剥离洗净具有180 nm以下布 线宽度金属布线之半导体基板或半导体元件之方 法,前述剥离剂组合物系包含藉由标准实验(A-1)之 氧化铝溶解量为10 ppm以上之溶解剂和藉由标准实 验(B-1)之铝蚀刻量为7 nm以下之抑制剂者。 9.如请求项1、2或8之剥离洗净半导体基板或半导 体元件之方法,其中金属布线系包含选自由铝、铜 、钨、钛所组成之群中一种以上之金属者。 10.一种半导体基板或半导体元件之制造方法,其具 有包含如请求项1至9中任一项之剥离洗净半导体 基板或半导体元件之方法之步骤。 11.一种剥离剂组合物,其系包含酸、无机酸盐及/ 或有机酸盐,即含有以下(i)~(v)任一成分者, (i)酸系1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸,无机酸盐及/或有 机酸盐系选自由羧酸盐、硫酸盐、磺酸盐、膦酸 盐、硝酸盐、盐酸盐及硼酸盐所组成之群中一种 以上之盐; (ii)酸系硫酸,无机酸盐系硫酸盐及/或硝酸盐; (iii)酸系草酸,无机酸盐系膦酸盐; (iv)酸系硫酸及草酸,无机酸盐系硫酸盐; (v)酸系1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸及草酸,无机酸盐 系硫酸盐。 12.一种剥离剂组合物,其系包含a)水及b)于水之溶 解度(25℃)为10 g以上/水100g之化合物,其中a)之含有 量为50~99.8重量%,b)之含有量为除去a)部分之90重量% 以上,再者于标准实验(A-2)之氧化铝溶解量为10 ppm 以上且于标准实验(B-2)之铝蚀刻量为7 nm以下者。 13.如请求项12之剥离剂组合物,其包含作为b)之化 合物之酸、无机酸盐及/或有机酸盐。 14.如请求项13之剥离剂组合物,其包含0.01~5重量%之 酸,0.2~40重量%之无机酸盐及/或有机酸盐。 15.如请求项12至14中任一项之剥离剂组合物,其pH为 1~10。 16.一种半导体之洗净方法,其使用如请求项12至15 中任一项之剥离剂组合物。 17.如请求项16之半导体洗净方法,其系具有半导体 布线宽度为180 nm以下之铝布线者。 18.一种半导体之制造方法,其具有使用如请求项16 或17之洗净方法之洗净步骤。 19.一种剥离剂组合物,其系包含氧化铝溶解剂及铝 腐蚀抑制剂,其中1)水之含有量为50重量%以上、2) 于标准实验(A-2)之氧化铝溶解量为10 ppm以上、3)于 标准实验(B-2)之铝蚀刻量为7nm以下且4)于标准实验 (A-2)前后pH之变化为0.5以下。 20.如请求项19之剥离剂组合物,其中氧化铝溶解剂 为酸,铝腐蚀抑制剂为无机酸盐及/或有机酸盐。 21.如请求项19或20之剥离剂组合物,其中pH为1~10。 22.一种半导体之连续洗净方法,其包含使用如请求 项19至21中任一项之剥离剂组合物于60℃以下之洗 净步骤。 23.如请求项22之半导体之连续洗净方法,其使用具 有布线宽度为180 nm以下铝布线之半导体基板或半 导体元件。 24.一种半导体之制造 方法,其包含使用如请求项22 或23之连续洗净方法之洗净步骤。 |
