发明名称 使用气泡的基材表面处理方法及设备
摘要 从基材表面移除一物质,例如从晶圆移除光阻剂,或于基材表面形成一反应产物的技术被揭示。将复数片等间隔、平行的基材的底部垂直的浸入于一液体,将一气体例如臭氧导入于该液体中且于该基材的下方连续形成气泡,使得该等气泡在破灭之前于两相邻基材之间不断往上爬昇。在气泡爬升的过程中在基材表面的液体边界层被压缩及更新,促进在该边界层内的气-液-固质传效率,使得其中的反应更快速的被完成,于是基材表面更有效率的被处理。
申请公布号 TWI286799 申请公布日期 2007.09.11
申请号 TW092127715 申请日期 2003.10.06
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 金光祖;陈秋美;罗正忠;徐静怡;法汉恩.夏得曼
分类号 H01L21/306(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 陈展俊 台北市大安区和平东路2段203号4楼
主权项 1.一种处理基材表面的方法,包含A)将一基材浸入 于一液体中,其中该基材仅底部浸入,且该基材系 实质上垂直于该液体之液面;B)驱动该基材绕一水 平轴旋转,使该基材的外缘轮流地浸入于该液体中 ;及C)在该液体底部导入一气体或者该液体被溶解 有该气体以在该基材表面连续形成气泡,该气泡在 该基材表面上爬行离开该液体的液面并继续爬行 一段距离,其中该气泡所爬行过的基材表面上的一 物质被从该基材表面上移除,或者被形成一物质。 2.如申请专利范围第1项的方法,其中为该气泡所爬 行过的基材表面上的一物质被从该基材表面上移 除。 3.如申请专利范围第2项的方法,其中该基材为表面 具有光阻剂的晶圆,且从该晶圆的表面被移除的物 质为该光阻剂。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项所述的方法, 其中复数个该基材被同时处理,并且它们彼此等间 隔的互相平行。 5.如申请专利范围第1项的方法,其中该液体为纯水 、臭氧水或溶解有化学品的水溶液,及该气体为一 含有臭氧的气体混合物、一含有反应性气体的气 体混合物或空气。 6.如申请专利范围第5项的方法,其中该液体为纯水 或臭氧水。 7.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤A)该基材 仅近底部约1/3的部份浸入于该液体。 8.一种处理基材表面的设备,包含: 一液体储槽,其中一液体被保留于其内部并在其内 部形成一水平液面; 一基材夹持匣,其被置于该储槽内,使得被夹持于 该匣的基材只有其底部浸入于该液体中; 一旋转机构,用于使该基材夹持匣在该储槽内绕一 水平轴旋转;及 一位于该液面下的曝气机构,用于在液体内产生气 泡。 9.如申请专利范围第8项的设备,其中该曝气机构包 含设置于该储槽内的一供气管及一或复数个形成 于该供气管上的开孔。 10.如申请专利范围第9项的设备,其中该供气管位 于该基材夹持匣的下方。 11.如申请专利范围第8项的设备,其中该基材夹持 匣具有复数对槽缝,其中每一对槽缝适于容置一基 材,使得被容置于该复数对槽缝的复数片基材互相 平行且垂直于该液面。 12.如申请专利范围第8项的设备,其中该基材夹持 匣使得该基材仅近底部约1/3的部份浸入于该液体 。 图式简单说明: 图1为依本发明的一实施例所完成的处理基材表面 的设备的示意图。 图2为示出一晶圆上54个量测点的位置。 图3为晶圆上54个量测点的光阻剂移除速率(/min), 其中圆点为依实施例1本发明方法的结果,三角形 点为依对照例1习知SPM方法的结果。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号