| 主权项 |
1.一种缩小图案线距的方法,包括: 于一基底上形成一材料层; 于该材料层上形成一第一罩幕层; 于该第一罩幕层上形成一第二罩幕层,其中该第二 罩幕层的厚度比该第一罩幕层的厚度厚; 于该第二罩幕层上形成一图案化光阻层,暴露出一 区域; 以该图案化光阻层作为蚀刻罩幕,蚀刻该第二罩幕 层,其中因为沟渠效应,在蚀刻区域中会残留有部 分的该第二罩幕层,而于蚀刻区域中该第二罩幕层 之边缘处形成复数个微沟渠; 以该图案化光阻层与残留的该第二罩幕层作为蚀 刻罩幕,蚀刻该第一罩幕层; 以残留的该第一与第二罩幕层作为蚀刻罩幕,图案 化该材料层;以及 去除该图案化光阻层与该第一与第二罩幕层。 2.如申请专利范围第1项所述之缩小图案线距的方 法,其中该第二罩幕层之材质对该第一罩幕层之材 质的蚀刻选择比大于1。 3.如申请专利范围第1项所述之缩小图案线距的方 法,其中该第一罩幕层之材质对该材料层之材质的 蚀刻选择比大于10。 4.如申请专利范围第2项所述之缩小图案线距的方 法,其中该第二罩幕层包括一氮化矽层。 5.如申请专利范围第2项所述之缩小图案线距的方 法,其中该第一罩幕层包括一氧化矽层。 6.如申请专利范围第3项所述之缩小图案线距的方 法,其中该材料层包括一多晶矽层。 7.如申请专利范围第1项所述之缩小图案线距的方 法,其中在形成该些微沟渠之后,更包括进行一等 向蚀刻步骤,以调整该些微沟渠之宽度。 8.一种可缩小图案线距之图案化罩幕的形成方法, 包括: 于一基底上形成一第一罩幕层; 于该第一罩幕层上形成一第二罩幕层,其中该第二 罩幕层的厚度比该第一罩幕层的厚度厚; 于该第二罩幕层上形成一图案化光阻层; 以该图案化光阻层作为蚀刻罩幕,蚀刻该第二罩幕 层,其中因为沟渠效应,在蚀刻区域中会残留有部 分的该第二罩幕层,而于蚀刻区域中该第二罩幕层 之边缘处形成复数个微沟渠; 以该图案化光阻层与残留的该第二罩幕层作为蚀 刻罩幕,蚀刻该第一罩幕层;以及 去除该图案化光阻层。 9.如申请专利范围第8项所述之可缩小图案线距之 图案化罩幕的形成方法,其中该第二罩幕层之材质 对该第一罩幕层之材质的蚀刻选择比大于1。 10.如申请专利范围第9项所述之可缩小图案线距之 图案化罩幕的形成方法,其中该第二罩幕层包括一 氮化矽层。 11.如申请专利范围第9项所述之可缩小图案线距之 图案化罩幕的形成方法,其中该第一罩幕层包括一 氧化矽层。 12.如申请专利范围第8项所述之可缩小图案线距之 图案化罩幕的形成方法,其中在形成该些微沟渠之 后,更包括进行一等向蚀刻步骤,以调整该些微沟 渠之宽度。 13.一种缩小图案线距的方法,包括: 在一基底上形成一材料层; 在该材料层上形成一图案化罩幕层; 以该图案化罩幕层为一蚀刻罩幕进行一反应性离 子蚀刻制程,以在该材料层中形成复数个微沟渠, 其中该些微沟渠系沿着该图案化罩幕层之侧壁而 形成在该材料层中,以使该材料层被图案化,其中 该反应性离子蚀刻制程之偏极电源功率(bias power) 系低于150W,且源极电源(source power)功率系高于500W; 以及 移除该图案化罩幕层。 14.如申请专利范围第13项所述之缩小图案线距的 方法,其中若该材料层为一多晶矽层,该罩幕层为 一氧化矽层,则该反应性离子蚀刻制程所使用之反 应气体包括氯。 图式简单说明: 图1A至图1E是依照本发明之一较佳实施例之缩小图 案线距(pitch)的制造流程剖面示意图;以及 图2A至图2C是依照本发明之另一较佳实施例之缩小 图案线距的制造流程剖面示意图。 |
