| 主权项 |
1.一种表面声波元件,包含: 一压电基板;及 交叉指型电极,其配置于该压电基板上;其中, 该等交叉指型电极包括一主要电极层与一紧密黏 着层,主要电极层系由铜(CU)与具有铜(Cu)作为其主 要成分的一合金其中之一所作成,紧密黏着层包括 NiCr作为其主要成分,该紧密黏着层系配置于该主 要电极层与基板之间。 2.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中,该 紧密黏着层之厚度系约5毫微米(nm)至约50 nm之范围 内。 3.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中,该 黏着层之厚度系由表面声波之波长所归一化为于 约0.0025至约0.025之范围内。 4.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中,一 保护层系叠合于该主要电极层上,且具有相较于铜 (Cu)而较不容易受到氧化之一金属作为主要成分。 5.如申请专利范围第4项之表面声波元件,其中,该 保护层包括一铝铜(Al-Cu)合金。 6.如申请专利范围第4项之表面声波元件,其中,包 括钛(Ti)与镍铬(NiCr)其中之一的一辅助电极层系配 置于该保护层与主要电极层之间。 7.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中,一 个二氧化矽(SiO2)薄膜系布置以覆盖该等交叉指型 电极。 8.一种表面声波元件,包含: 一压电基板;及 交叉指型电极,其配置于该压电基板上; 其中,该等交叉指型电极包括一主要电极层与一黏 着层,主要电极层系由铜(Cu)与具有铜(Cu)作为其主 要成分的一合金之其中一者所作成,黏着层包括钛 (Ti)作为其主要成分,该黏着层系配置于该主要电 极层与基板之间; 该黏着层之厚度系于约18毫微米(nm)至约60 nm之范 围内。 9.如申请专利范围第8项之表面声波元件,其中,该 黏着层之厚度系由表面声波之波长所归一化为于 约0.009至约0.03之范围内。 10.如申请专利范围第8项之表面声波元件,其中,一 保护层系叠合于该主要电极层上,且具有相较于铜 (Cu)而较不容易受到氧化之一金属作为主要成分。 11.如申请专利范围第10项之表面声波元件,其中,该 保护层包括一铝铜(Al-Cu)合金。 12.如申请专利范围第10项之表面声波元件,其中,包 括钛与镍铬(NiCr)其中之一者之一辅助电极层系配 置于该保护层与主要电极层之间。 13.如申请专利范围第8项之表面声波元件,其中,一 个二氧化矽(SiO2)薄膜系布置以覆盖该等交叉指型 电极。 14.一种表面声波元件,包含: 一压电基板;及 交叉指型电极,其配置于该压电基板上; 其中,该等交叉指型电极包括一主要电极层与一黏 着层,主要电极层系由铜(Cu)与具有铜(Cu)作为其主 要成分的一合金其中之一者所作成,黏着层包括钛 (Ti)作为其主要成分,该黏着层系配置于该主要电 极层与基板之间; 该黏着层之厚度系由表面声波之波长所归一化为 于约0.009至约0.03之范围内。 15.如申请专利范围第14项之表面声波元件,其中,一 保护层系叠合于该主要电极层,且具有相较于铜(Cu )而较不容易受到氧化之一金属作为其主要成分。 16.如申请专利范围第15项之表面声波元件,其中,该 保护层包括一铝铜(Al-Cu)合金。 17.如申请专利范围第15项之表面声波元件,其中,包 括钛(Ti)与镍铬(NiCr)其中之一者之一辅助电极层系 配置于该保护层与主要电极层之间。 18.如申请专利范围第14项之表面声波元件,其中,一 个二氧化矽(SiO2)薄膜系布置以覆盖该等交叉指型 电极。 19.一种表面声波元件,包含: 一压电基板;及 交叉指型电极,其配置于该压电基板上; 其中,该等交叉指型电极包括一主要电极层与一黏 着层,主要电极层系由铜(Cu)与具有铜(Cu)作为其主 要成分的一合金其中之一者所作成,黏着层包括铬 (Cr)作为其主要成分,该黏着层系配置于该主要电 极层与基板之间。 20.如申请专利范围第19项之表面声波元件,其中,一 保护层系叠合于该主要电极层上,且具有相较于铜 (Cu)而较不容易受到氧化之一金属作为其主要成分 。 21.如申请专利范围第20项之表面声波元件,其中,该 保护层包括一铝铜(Al-Cu)合金。 22.如申请专利范围第20项之表面声波元件,其中,包 括钛(Ti)与镍铬(NiCr)其中一者之一辅助电极层系配 置于该保护层与主要电极层之间。 23.如申请专利范围第19项之表面声波元件,其中,一 个二氧化矽(SiO2)薄膜系布置以覆盖该等交叉指型 电极。 24.一种表面声波元件,包含: 一压电基板;及 交叉指型电极,其配置于该压电基板上; 其中,该等交叉指型电极包括一主要电极层与一黏 着层,主要电极层系由铜(Cu)与具有铜(Cu)作为其主 要成分的一合金其中一者所作成,黏着层包括镍(Ni )作为其主要成分,该黏着层系配置于该主要电极 层与基板之间。 25.如申请专利范围第24项之表面声波元件,其中,一 保护层系叠合于该主要电极层上,且具有相较于铜 (Cu)而较不容易受到氧化之一金属作为其主要成分 。 26.如申请专利范围第25项之表面声波元件,其中,该 保护层包括一铝铜(Al-Cu)合金。 27.如申请专利范围第25项之表面声波元件,其中,包 括钛(Ti)与镍络(NiCr)其中一者之一辅助电极层系配 置于该保护层与主要电极层之间。 28.如申请专利范围第24项之表面声波元件,其中,一 个二氧化矽(SiO2)薄膜系布置以覆盖该等交叉指型 电极。 29.一种表面声波元件,其包含: 一压电基板;及 交叉指型电极,其配置于该压电基板上; 其中,该等交叉指型电极包括一主要电极层与一黏 着层,主要电极层系由铜(Cu)与具有铜(Cu)作为其主 要成分的一合金其中之一者所作成,黏着层包括铝 铜(Al-Cu)作为其主要成分,该黏着层系配置于该主 要电极层与基板之间。 30.如申请专利范围第29项之表面声波元件,其中,一 保护层系叠合于该主要电极层上,且具有相较于铜 (Cu)而较不容易受到氧化之一金属作为其主要成分 。 31.如申请专利范围第30项之表面声波元件,其中,该 保护层包括一铝铜(Al-Cu)合金。 32.如申请专利范围第30项之表面声波元件,其中,包 括钛(Ti)与镍铬(NiCr)其中之一者之一辅助电极层系 配置于该保护层与主要电极层之间。 33.如申请专利范围第29项之表面声波元件,其中,一 个二氧化矽(SiO2)薄膜系布置以覆盖该等交叉指型 电极。 图式简单说明: 第1图系说明本发明之表面声波元件的一个较佳实 施例之电极结构的模型截面图; 第2图系显示于实例1所备制之表面声波元件的破 坏电力大小的图表,假使无保护层为设置以及假使 保护层之材料为变化; 第3图系显示依据于实例1所备制之个别的表面声 波元件之衰减频率特性的最小插入损失点大小的 图表,假使无保护层为设置以及假使保护层之材料 为变化; 第4图系显示于破坏电力之变化的图表,假使紧密 黏着层之厚度为变化于实例2; 第5图系显示于依据衰减频率特性的最小插入损失 点之变化的图表,假使紧密黏着层之厚度为变化于 实例2; 第6图系显示一种单埠表面声波共振器之电极结构 的平面图,其作为本发明之种种的较佳实施例所应 用至其之表面声波元件的一个实例; 第7图系显示一种双埠表面声波共振器之电极结构 的平面图,其作为本发明之较佳实施例所应用至其 之表面声波元件的另一个实例; 第8图系显示一种梯状表面声波滤波器之电极结构 的模型平面图,其作为本发明之较佳实施例所应用 至其之表面声波元件的又一个实例; 第9图系显示一种格状滤波器之电极结构的模型平 面图,其作为本发明之较佳实施例所应用至其之表 面声波元件的再一个实例; 第10图系说明本发明之表面声波元件的一个较佳 实施例之电极结构的截面前视图; 第11图系显示表面声波元件之种种破坏电力的图 表,针对运用于第10图所示之电极结构的保护层之 不同材料; 第12图系显示表面声波元件之种种最小插入损失 点的图表,针对运用于第10图所示之电极结构的保 护层之不同材料;及 第13图系说明本发明之表面声波元件的另一个较 佳实施例之电极结构的截面前视图。 |
