| 主权项 |
1.一种形成焊接凸块的方法,该方法包含有下列步 骤: 提供一基底,且该基底表面形成有一凸块下金属层 (under bump metallurgy layer); 形成一光阻层于该凸块下金属层表面; 图案化该光阻层,以于该光阻层中形成至少一开口 ,用以暴露部分该凸块下金属层,并同时于该开口 内形成至少一柱状结构; 形成至少一金属材料于该开口中,并包覆该柱状结 构;以及 进行一光阻剥离步骤,以移除该图案化光阻层。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该柱状结 构系利用于该开口内之部份该光阻层所形成。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该基底系为一 晶圆。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该光阻层系选 自由环氧树脂(epoxy)、聚亚醯胺(polyimide)、或乾膜( dry film)所组成的群组。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属材料系 包含铜或焊锡(solder)之组成。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成至少一 金属材料步骤另包含有: 填入一第一金属层于该开口中;以及 填入一第二金属层于该第一金属层上并与该光阻 层之表面齐平。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该第一金属层 系包含铜,且该第二金属层系包含焊锡。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成至少一 金属材料步骤系利用一电镀方式所达成。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成至少一 金属材料步骤系利用一印刷方式所达成。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该基底与该 凸块下金属层之间另包含有: 至少一焊垫,电连接设于该基底中的电路;以及 一图案化保护层,覆盖于该基底表面并暴露部分该 焊垫。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中该开口系位 于该焊垫上方。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该凸块下金 属层包含有一黏着层(adhesion layer)、一阻障层( barrier layer)与一湿润层。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中该凸块下金 属层系利用溅镀(sputtering)制程所形成。 14.如申请专利范围第1项之方法,该方法另包含有 一回焊(reflow)步骤,实施于该光阻剥离步骤之前。 15.如申请专利范围第1项之方法,该方法另包含有 一回焊步骤,实施于该光阻剥离步骤之后。 16.如申请专利范围第15项之方法,该方法另包含有 一蚀刻凸块下金属层步骤,实施于该回焊步骤之前 。 17.如申请专利范围第15项之方法,该方法另包含有 一蚀刻凸块下金属层步骤,实施于该回焊步骤之后 。 18.一种焊接凸块结构,包含有: 一基底,且该基底表面包含有至少一焊垫; 一凸块下金属层,设于该焊垫及该焊垫周围之部份 该基底上;以及 一焊接凸块,设于该凸块下金属层表面,且该焊接 凸块中包含有至少一柱状结构,其中该柱状结构系 为一光阻材料。 19.如申请专利范围第18项之焊接凸块结构,其中该 基底系为一晶圆。 20.如申请专利范围第18项之焊接凸块结构,其中该 柱状结构系包含环氧树脂、聚亚醯胺、或乾膜。 21.如申请专利范围第18项之焊接凸块结构,其中该 焊接凸块系为一铜凸块。 22.如申请专利范围第18项之焊接凸块结构,其中该 焊接凸块系为一焊锡。 23.如申请专利范围第18项之焊接凸块结构,其中该 焊接凸块系为一铜/焊锡凸块。 24.如申请专利范围第18项之焊接凸块结构,其中该 焊接凸块结构另包含有一图案化保护层覆盖于该 基底表面并暴露部分该焊垫。 图式简单说明: 第1图至第6图为习知形成焊接凸块的方法示意图 。 第7图至第13图为本发明形成焊接凸块之较佳实施 例的方法示意图。 |
