| 主权项 |
1.一种强化抵抗单一事件破坏之槽状闸极双扩散 金氧半电晶体之结构,该金氧半电晶体系为一N型 通道者其主要包括一N+源极、一N+基板、一P+ plug( 插塞)区域、一P基底与一槽状闸极; 其特征在于: P+ plug区域系侧向及垂直方向延伸至该N+源极下方, 以加大该P+ plug区域之面积,俾降低其侧向电阻値 。 2.一种强化抵抗单一事件破坏之槽状闸极双扩散 金氧半电晶体之结构,该金氧半电晶体系为一P型 通道者,其主要包括一P+源极、一P+基板、一N+ plug( 插塞)区域、一N基底与一槽状闸极; 其特征在于: 该N+ plug区域系侧向及垂直方向延伸至该P+源极下 方,以加大该N+ plug区域之面积,俾降低其侧向电阻 値。 3.依申请专利范围第1或第2项所述之强化抵抗单一 事件破坏之槽状闸极双扩散金氧半电晶体之结构, 其中该槽状闸极双扩散金氧半电晶体闸极尺寸可 为次微米、深次微米或奈米。 4.一种用以制造申请专利范围第1项所述之强化抵 抗单一事件破坏之槽状闸极双扩散金氧半电晶体 之方法,系包括下列步骤: (a)形成N+基板; (b)形成P+ well:即为P+ plug(插塞)区域; (c)形成P well:即为P base(P基底)区域; (d)形成gate oxide(闸极氧化层); (e)形成poly gate(多晶矽闸极); (f)形成source(源极); (g)形成gate(闸极)上层的氧化层; (h)形成source metallization(源极金属化); 其中该步骤(b)之处理程序更包括下列步骤: (b1)在N+ source下方的P+ plug区域藉着扩散方法,将原 本在N+ source下方,由P base所形成的一段浓度低的大 电阻,俾藉由P+ plug区域的掺杂使得侧向电阻降低, 并经由侧向及垂直的延伸,加大P+ plug区域的面积; (b2)其P+ plug右方的横轴距离向P base方向侧向延伸; (b3)其P+ plug区域的垂直深度向远离N+ source的方向 做垂直延伸; 藉此,使侧向电阻値降低,以提高元件的抗辐射能 力。 5.一种用以制造申请专利范围第2项所述之强化抵 抗单一事件破坏之槽状闸极双扩散金氧半电晶体 之方法,系包括下列步骤: (a)形成P+基板; (b)形成N+ well:即为N+ plug(插塞)区域; (c)形成N well:即为N base区域; (d)形成gate oxide(闸极氧化层); (e)形成poly gate(多晶矽闸极); (f)形成source(源极); (g)形成gate(闸极)上层的氧化层; (h)形成source metallization(源极金属化);其中该步骤(b )之处理程序包括步骤: (b1)在P+ source下方的N+ plug区域藉着扩散方法,将原 本在P+ source下方,由N base所形成的一段浓度低的大 电阻,俾藉由N+ plug区域的掺杂使得侧向电阻降低, 并经由侧向及垂直的延伸,加大N+ plug区域的面积; (b2)其N+ plug右方的横轴距离向N base方向侧向延伸; (b3)其N+ plug区域的垂直深度向远离P+ source的方向 做垂直延伸; 藉此,使侧向电阻値降低,以提高元件的抗辐射能 力。 图式简单说明: 第1图系本发明之结构示意图 第2图系本发明之结构(A)及习用结构(B)两种不同结 构的汲极电流对闸极电压的曲线(固定汲极电压为 20V) 第3图系离子撞击汲极偏压为80V的本发明结构,且 离子撞击位置在X=10m,其电场随时间变化图 第4图系离子撞击汲极偏压为80V的本发明结构,且 离子撞击位置在X=10m,其电场随时间变化图 第5图系离子撞击在本发明结构的不同汲极偏压下 的不同位置,观察其对SEB现象的敏感程度,可发现 SEB的触发偏压为100V。而离子撞击在习用结构的不 同汲极偏压下的不同位置,观察其对SEB现象的敏感 程度,可发现SEB的触发偏压为70V 第6图系本发明第二实施例之结构示意图 第7图系习用槽状闸极双扩散金氧半电晶体结构示 意图 第8图系离子撞击汲极偏压为100V的习用结构,且离 子撞击位置在X=6m,其电场随时间变化图 |
