| 主权项 |
1.一种减少在锡沈积物中锡晶须形成之方法,其包 含直接于包含铜或铜合金之底层金属电镀锡沈积 物,该锡沈积物基本上无压缩应力,或主要系以X-线 绕射量测呈预定的晶体取向,该晶体取向基本上与 底层金属者相符以抑制在锡沈积物中锡晶须之生 成。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该底层金属形 成电子元件之一部份基材且该沈积物之晶体取向 为<220>。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该锡沈积物系 为纯锡或包含至少95%的锡,且视需要包含至少一种 5%含量或更少之银、铋、铜或锌之合金元素。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该底层金属系 为基材上之沈积物,且该锡沈积物具有与底层金属 沈积物相同的晶体取向。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该锡沈积物在 电镀时由含酸、锡盐及晶体取向界面活性剂之溶 液提供。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该酸为磺酸、 硫酸、卤化物离子酸、氟硼酸盐或其混合物。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中该溶液包括量 足以改良沈积物外观之烷基醇磺酸或其溶液可溶 盐。 8.如申请专利范围第5项之方法,其中该晶体取向界 面活性剂包括有2至4个结合环、总共6至24个环及 至少一个氧或氮原子存在或接在至少一个环上之 溶液可溶有机化合物。 9.如申请专利范围第5项之方法,其中该晶体取向界 面活性剂包含一种溶液可溶有机化合物有2至3个 稠合环,总共6至14个环及至少一个氮原子存在至少 两个环之每一个中。 10.如申请专利范围第5项之方法,其中该晶体取向 界面活性剂包含嵌段共聚物或可溶有机化合物的 溶液,该有机化合物系为氧化烷(alkylene oxide)之缩 合化合物。 11.如申请专利范围第5项之方法,其中该晶体取向 界面活性剂为二、二烷基啡、嵌段共聚合 物或乙氧化酚。 12.如申请专利范围第5项之方法,其中该酸包含2-羟 基乙基磺酸或其盐与硫酸或烷基磺酸之混合物。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中该锡沈积物 显示无压缩应力或显示张应力,且该应力系以X-线 绕射以确认其非压缩应力。 14.如申请专利范围第1项之方法,其中该锡沈积物 之预定晶体取向系由X-线绕射所决定,以确认其基 本上系符合底层金属之晶体取向。 |
