发明名称 具有切换开关之记忆卡结构
摘要 本发明系有关于一种具有切换开关之记忆卡结构,其中,一切换开关包括有一本体、及一延伸部,本体设有一凹槽,凹槽之内侧凸设有凸点或凹点或没有,且本体滑移于一塑胶外壳之滑动轨内,而延伸部则滑移于滑动槽内。此外,塑胶外壳之滑动轨之外侧凸设有固定凸点或凹点。当切换开关切换至第一位置时,塑胶外壳之其一固定凸点或凹点系卡合于切换开关之凸点或凹点之上;当切换开关没有凸点或凹点,切换开关切换将落于塑胶外壳侧边凸点两侧。
申请公布号 TWI286865 申请公布日期 2007.09.11
申请号 TW094143162 申请日期 2005.12.07
申请人 乙蒙科技有限公司 发明人 温国梁
分类号 H01R13/46(2006.01);G11C5/00(2006.01) 主分类号 H01R13/46(2006.01)
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼;杨庆隆 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 1.一种具有切换开关之记忆卡结构,包括: 一塑胶外壳,系于其上表面凹设有一容置槽,该容 置槽包括有一内底面,并于该内底面之四周缘向上 凸设有至少一侧板,该至少一侧板上设有一滑动轨 ,该内底面上凹设有一连通至该滑动轨之滑动槽; 一记忆体模组,系容置于该塑胶外壳之该容置槽内 ;以及 一切换开关,包括有一本体及一延伸部,该本体上 设置有一凹槽系滑移于该塑胶外壳之该滑动轨内, 该延伸部则滑移于该滑动槽内。 2.如申请专利范围第1项所述之具有切换开关之记 忆卡结构,其中,该塑胶外壳之该至少一侧板设有 一凹陷槽。 3.如申请专利范围第2项所述之具有切换开关之记 忆卡结构,其中,该塑胶外壳之该滑动轨之外侧与 该切换开关之该凹槽之内侧间设有一定位构件。 4.如申请专利范围第3项所述之具有切换开关之记 忆卡结构,其中,该定位构件系为该切换开关之该 凹槽之内侧所设置之两凸点、及该塑胶外壳之该 滑动轨之外侧所设置之两凸点。 5.如申请专利范围第4项所述之具有切换开关之记 忆卡结构,更包含一上盖,系盖合于塑胶外壳之该 凹陷槽内,并保护该记忆体模组。 6.如申请专利范围第3项所述之具有切换开关之记 忆卡结构,其中,该定位构件系为该该塑胶外壳之 该滑动轨之外侧所设置之一凸点。 7.如申请专利范围第6项所述之具有切换开关之记 忆卡结构,更包含一上盖,系盖合于塑胶外壳之该 凹陷槽内,并保护该记忆体模组。 8.如申请专利范围第3项所述之具有切换开关之记 忆卡结构,其中,该定位构件系为该该切换开关之 该凹槽之内侧所设置之一凸点、及该塑胶外壳之 该滑动轨之外侧所设置之两凹点。 9.如申请专利范围第8项所述之具有切换开关之记 忆卡结构,更包含一上盖,系盖合于塑胶外壳之该 凹陷槽内,并保护该记忆体模组。 图式简单说明: 图1系习知之SD记忆卡分解图。 图2系本发明之具有切换开关之记忆卡结构之分解 图。 图3系本发明之具有切换开关之记忆卡结构之侧视 图。 图4系本发明一较佳实施例之分解图。 图5系本发明另一较佳实施例之分解图。 图6系本发明又一较佳实施例之分解图。
地址 新竹市忠孝路440号12楼之2