| 主权项 |
1.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一多层堆积体,其包含该多层堆积体中之至少一二 元层,该至少一二元层系包含掺杂一第二材料之一 第一材料。 2.如申请专利范围第1项之电浆产生式EUV光源反射 元件,进一步包含: 该第一材料包含一介电材料。 3.如申请专利范围第1项之电浆产生式EUV光源反射 元件,进一步包含: 该至少一层包含一间隔层。 4.如申请专利范围第2项之电浆产生式EUV光源反射 元件,进一步包含: 该至少一层包含一间隔层。 5.如申请专利范围第1项之电浆产生式EUV光源反射 元件,进一步包含: 该第一材料包含矽。 6.如申请专利范围第5项之电浆产生式EUV光源反射 元件,进一步包含: 该第二材料包含一n型掺杂物。 7.如申请专利范围第6项之电浆产生式EUV光源反射 元件,进一步包含: 该至少一二元层中之至少一层系为一包含矽之组 合。 8.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一多层镜面堆积体,其包含: 一盖覆层,其包含一二元盖覆层,该二元盖覆层系 包含一含有一EUV透明金属之第一层及一含有一EUV 吸收材料之第二层,该EUV吸收材料系包含一反应性 EUV电浆源材料的一化合物。 9.如申请专利范围第8项之电浆产生式EUV光源反射 元件,进一步包含: 该反应性EUV电浆材料包含锂。 10.如申请专利范围第9项之电浆产生式EUV光源反射 元件,进一步包含: 该化合物包含族3-9中周期数5金属的至少一者。 11.如申请专利范围第10项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该化合物包含一该化合物的氧化物。 12.如申请专利范围第11项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该化合物包含LiNbO3。 13.如申请专利范围第12项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 在该二元盖覆层中该第一层包含一间隔层而该第 二层包含一吸收层。 14.如申请专利范围第13项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第二层包含一顶层。 15.如申请专利范围第14项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 一真空包含层,其位于该二元盖覆层与该多层堆积 体的其余部分之间。 16.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一多层镜面堆积体,其包含一第一层的一材料而形 成一吸收层以及一第二层的该材料而形成一间隔 层,该第一层具有与该第二层不同之一密度。 17.如申请专利范围第16项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第一及第二层的至少一者受到掺杂以改良电传 导性。 18.如申请专利范围第17项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该材料系为矽的一化合物。 19.如申请专利范围第18项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该材料包含Si及C的一组合。 20.如申请专利范围第19项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该材料包含SiC。 21.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一多层镜面堆积体,其包含一二元盖覆层,该二元 盖覆层系包含一Mo吸收层及一含有钇的间隔层。 22.如申请专利范围第21项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该间隔层包含钇的一化合物。 23.如申请专利范围第21项之电浆产生式EUV光源反 射元件,包含: 该间隔层包含氧化钇。 24.如申请专利范围第23项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该多层镜面堆积体包含复数个二元层,该等复数个 二元层包含与该二元盖覆层相同之材料。 25.如申请专利范围第24项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该多层镜面堆积体包含复数个二元层,该等复数个 二元层包含至少一与该二元盖覆层不同之材料。 26.如申请专利范围第25项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该至少一材料包含矽。 27.如申请专利范围第26项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该多层镜面堆积体系包含具有与该二元盖覆层相 同的材料之至少一其他二元层以及具有至少一与 该二元盖覆层不同的材料之至少一其他二元层之 一组合。 28.如申请专利范围第27项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 至少一中间扩散障壁层,其介于一二元层中的一第 一层与一二元层中的一第二层中间。 29.如申请专利范围第28项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该中间扩散障壁层包含一氟化物或一氧化物。 30.如申请专利范围第29项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该中间层包含一选自包括下列各物的群组之材料: 稀土金属氟化物、氮化物及氧化物、耐火金属氟 化物、氮化物及氧化物、其他氮化物、硼化物及 矽化物。 31.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一多层镜面堆积体,其包含一盖覆层,该盖覆层系 包含一钇-锆合金或一钇-二氧化锆合金。 32.如申请专利范围第31项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该盖覆层包含一二元盖覆层,该二元盖覆层包含一 金属性吸收层。 33.如申请专利范围第32项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该金属性吸收层包含Ru。 34.如申请专利范围第32项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 一二元盖覆层,其包含位于一含有Ru的顶涂覆层底 下之该钇-锆或钇-二氧化锆层。 35.如申请专利范围第33项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该顶涂覆层包含一Ru合金。 36.如申请专利范围第33项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该Ru合金包含Ru-Mo。 37.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一氮氧化矽扩散障壁层。 38.如申请专利范围第37项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该氮氧化矽层系藉由N掺杂一SiO2层或藉由在一氮 环境中反应性溅镀一SiO2层而形成。 39.如申请专利范围第38项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该扩散障壁层包含一盖覆层。 40.如申请专利范围第39项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该扩散障壁层包含一二元盖覆层的一部分。 41.一种用于制造一电浆产生式EUV光源反射元件之 方法,包含: 在多层镜面堆积体层沉积期间加热该基材以增加 被沉积在该层上中之原子的活动性及减少该上表 面的粗糙度。 42.如申请专利范围第41项之方法,进一步包含: 该加热步骤亦达成该层密度的增加。 43.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 复数个二元层,其包含一含有一嵌夹式吸收层之吸 收层,该嵌夹式吸收层包含一吸收材料的一第一化 合物而介于一含有该吸收材料的一第二化合物之 第一嵌夹吸收层与一含有该吸收材料的一第三化 合物之第二嵌夹吸收层中间。 44.如申请专利范围第43项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该吸收材料的第二化合物系与该吸收材料的第三 化合物相同。 45.如申请专利范围第44项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第一化合物及该第二化合物的介面系处于相平 衡而该第一化合物及该第三化合物的介面处于相 平衡。 46.如申请专利范围第45项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第一化合物系包含比该第二化合物或该第三化 合物具有一更高百分比之负责该第一化合物的吸 收件特征化之一吸收材料组份。 47.如申请专利范围第46项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第一化合物系为一第一金属矽化物而该第二及 第三化合物的至少一者为一第二金属矽化物。 48.如申请专利范围第47项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第一化合物为Mo5Si3而该第二及第三化合物为MoSi 2。 49.如申请专利范围第48项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该二元层系包含一含有一材料之间隔层,其与该第 二及第三材料之介面系处于相平衡。 50.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一多层镜面堆积体,其包含复数个二元层,各该二 元层系包含一含有一间隔材料合金之间隔层及一 含有一吸收材料合金之吸收层。 51.如申请专利范围第50项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 一中间障壁层,其位于各该间隔层与吸收层之间。 52.如申请专利范围第51项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该间隔材料合金系包含Y-Zr而该吸收材料层包含Mo- Ru。 53.如申请专利范围第52项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 一中间障壁层,其包含一选自包括下列各物的群组 之材料:硼化物、氮化物及碳化物。 54.如申请专利范围第53项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 一二元盖覆层,其包含与该间隔层及该吸收层相同 之材料且其中顶层包含一间隔层。 55.如申请专利范围第54项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该障壁层包含一非晶材料。 56.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一多层镜面堆积体,其包含复数个二元层,各该二 元层系包含一含有一间隔材料合金之间隔层及一 含有一吸收材料合金之吸收层;及 一顶扩散障壁层,其包含一选自包括下列各物的群 组之材料:氮化物、硼化物及碳化物;及 该顶扩散障壁层配置于该吸收材料合金顶上。 57.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一多层镜面堆积体,其包含复数个二元层及一盖覆 层,该盖覆层系包含一锂扩散障壁层及一卤素蚀刻 障壁层。 58.如申请专利范围第57项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该障壁层包含一含氟的材料。 59.如申请专利范围第58项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该障壁层包含MgF2或LiF。 60.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一双二元盖覆层,其包含第一二元盖覆层,该第一 二元盖覆层系包含一具有一铺覆于一含有一第一 吸收层材料的吸收层上之第一间隔层材料之间隔 层,及一第二二元盖覆层,该第二二元盖覆层系包 含一具有一铺覆于一含有一第二吸收层材料的吸 收层上之第二间隔层材料之间隔层。 61.如申请专利范围第60项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第一吸收材料系与该第二吸收材料相同而该第 一间隔材料与该第二间隔材料不同。 62.如申请专利范围第61项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该双二元盖覆层系大致重覆于整体该反射元件以 在该双二元盖覆层下形成位居下方之双二元堆积 体层。 63.如申请专利范围第62项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 接连的位居下方之双二元堆积体层,其在包含一原 始双二元盖覆层之一位居上方的双二元盖覆层或 目前形成该双二元盖覆层之一中间的位居上方之 双二元堆积体层恶化时系形成一双二元盖覆层。 64.如申请专利范围第63项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第一间隔层包含钇。 65.如申请专利范围第64项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第一间隔层包含钇。 66.如申请专利范围第65项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第一及第二吸收材料包含Mo。 67.如申请专利范围第66项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第二间隔材料包含Si。 68.一种电浆产生式EUV光源反射元件,包含: 一二元盖覆层,其包含一含有一吸收器之间隔层, 该吸收器系包含一铺覆于一含有一第一间隔层材 料之间隔层上方之第一吸收层材料; 复数个规则的二元堆积体层,其包含一第二吸收层 ,该第二吸收层系包含一位居该二元盖覆层下方之 第二吸收材料,及一含有一第二间隔材料之间隔层 ;及 散布一包含该第一吸收材料及该第一间隔材料之 经散布的二元堆积体层于该等复数个二元堆积体 层之间。 69.如申请专利范围第68项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该等经散布的二元堆积体层系为周期性散布。 70.如申请专利范围第69项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该等复数个规则的堆积体层系包含一中间互混边 界层。 71.如申请专利范围第70项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该等复数个规则的堆积体层系包含一中间互混边 界层。 72.如申请专利范围第71项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第一吸收材料包含Mo而该第一间隔材料包含Y。 73.如申请专利范围第72项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该第二吸收材料包含Mo而该第二间隔材料包含一 矽化合物。 74.如申请专利范围第73项之电浆产生式EUV光源反 射元件,进一步包含: 该矽化合物为SiC。 75.一种用于形成一电浆产生式EUV光源反射元件之 方法,包含: 提供一多层堆积体,其包含具有一第一材料之该多 层堆积体中的至少一二元层,并以一第二材料来掺 杂该第一材料。 图式简单说明: 第1图系示意且未依实际比例地显示一多层镜面( MLM); 第2图示意且未依实际比例地显示根据本发明的一 实施例之一态样之一MLM结构及组成物,其中譬如改 良了第1图的MLM; 第3图系示意且未依实际比例地显示一多层镜面; 第4图示意且未依实际比例地显示根据本发明的一 实施例之态样之一MLM结构及组成物,其中譬如改良 了第3图的MLM; 第5图示意且未依实际比例地显示本发明的一实施 例之态样,其利用与锂相容的涂层譬如钇(譬如呈 氧化钇Y2O3形式)来作为譬如用于EUV多层堆积体收 集器/导引器镜面之保护涂层; 第6图示意且未依实际比例地显示根据本发明的一 实施例之态样之一MLM结构及组成物; 第7、8及9图示意且未依实际比例地显示根据本发 明的一实施例之态样之一MLM结构及组成物; 第10图示意且未依实际比例地显示根据本发明的 一实施例之态样之一MLM结构及组成物; 第11图示意且未依实际比例地显示根据本发明的 一实施例之态样之一MLM结构及组成物; 第12图示意且未依实际比例地显示根据本发明的 一实施例之态样之一MLM结构及组成物; 第13图显示对于该等数层之一Y/Mo/Si/Mo MLM的反射率 。 |
