| 主权项 |
1.一种多位元记忆体细胞,包含: 一基材; 一隧道层,位于该基材之上; 一电荷捕捉层,位于该隧道层之上; 一绝缘层,位于该电荷捕捉层之上; 一闸极,位于该绝缘层之上,且具有一第一侧边及 一第二侧边; 一源极区域,位于该基材中,一部份该源极区域在 该闸极的该第一侧边之下; 一汲极区域,于该基材中,一部份该汲极区域在该 闸极的该第二侧边之下;以及 一通道区域,位于该基材中的该源极区域及该汲极 区域之间,该通道区域具有一p型掺杂及一n型掺杂 之一且该掺杂配置为提供一最高掺杂浓度于接近 该通道区域的一中心部分。 2.如申请专利范围1所述之多位元记忆体细胞,其中 该通道区域具有至少三个掺杂区域,包含: 一第一掺杂区域,位于接近该通道区域的该中心部 分; 一第二掺杂区域,位于接近该第一掺杂区域的一侧 ;以及 一第三掺杂区域,位于接近该第一掺杂区域的另一 侧,其中相较于该第二掺杂区域及该第三掺杂区域 ,该第一掺杂区域具有一较高的掺杂浓度。 3.如申请专利范围2所述之多位元记忆体细胞,其中 该第一掺杂区域具有介于约11013原子/平方公分至 约11015原子/平方公分的一p型掺杂剂量。 4.如申请专利范围2所述之多位元记忆体细胞,其中 该第一掺杂区域具有介于约11013原子/平方公分至 约11015原子/平方公分的一n型掺杂剂量。 5.如申请专利范围1所述之多位元记忆体细胞,其中 : 该隧道层包含一第一氧化矽层; 该电荷捕捉层包含一氮化矽层;以及 该绝缘层包含一第二氧化矽层。 6.一种多位元记忆体细胞,包含: 一基材; 一多位元电荷捕捉层,位于该基材之上,该多位元 电荷捕捉层具有一第一侧边及一第二侧边; 一源极区域,位于该基材中,一部份该源极区域在 该多位元电荷捕捉层的该第一侧边之下; 一汲极区域,位于该基材中,一部份该汲极区域在 该多位元电荷捕捉层的该第二侧边之下;以及 一通道区域,位于该基材中的该源极区域及该汲极 区域之间,该通道区域具有至少三个掺杂区域,包 含: 一第一掺杂区域,位于接近该通道区域的该中心部 分; 一第二掺杂区域,位于接近该第一掺杂区域的一侧 ;以及 一第三掺杂区域,位于接近该第一掺杂区域的另一 侧,其中相较于该第二掺杂区域及该第三掺杂区域 ,该第一掺杂区域具有一较高的掺杂浓度。 7.如申请专利范围6所述之多位元记忆体细胞,其中 该第一、第二及第三掺杂区域为一p型掺杂及一n 型掺杂之一且该掺杂配置为提供一最高掺杂浓度 于接近该通道区域的该中心部分。 8.如申请专利范围6所述之多位元记忆体细胞,其中 该第一掺杂区域具有介于约11013原子/平方公分至 约11015原子/平方公分的一n型掺杂剂量。 9.如申请专利范围6所述之多位元记忆体细胞,其中 该第一掺杂区域具有介于约11013原子/平方公分至 约11015原子/平方公分的一p型掺杂剂量。 10.如申请专利范围6所述之多位元记忆体细胞,其 中该多位元记忆体细胞: 一隧道层,位于该基材之上; 一电荷捕捉层,位于该隧道层之上; 一绝缘层,位于该电荷捕捉层之上;以及 一闸极,位于该绝缘层之上。 11.如申请专利范围10所述之多位元记忆体细胞,其 中 该隧道层包含一第一氧化矽层; 该电荷捕捉层包含一氮化矽层;以及 该绝缘层包含一第二氧化矽层。 12.一种形成一多元记忆体细胞的方法,包含: 提供一基材; 形成一多位元电荷捕捉层于该基材之上,该多位元 电荷捕捉层具有一第一侧边及一第二侧边; 形成一源极区域于该基材中,一部份该源极区域在 该多位元电荷捕捉层的该第一侧边之下; 形成一汲极区域于该基材中,一部份该汲极区域在 该多位元电荷捕捉层的该第二侧边之下;以及 形成一通道区域于该基材中的该源极区域及该汲 极区域之间,该通道区域具有至少三个掺杂区域, 包含: 一第一掺杂区域,位于接近该通道区域的一中心部 分; 一第二掺杂区域,位于接近该第一掺杂区域的一侧 ;以及 一第三掺杂区域,位于接近该第一掺杂区域的另一 侧,其中相较于该第二掺杂区域及该第三掺杂区域 ,该第一掺杂区域具有一较高的掺杂浓度。 13.如申请专利范围12所述之方法,其中该第一、第 二及第三掺杂区域为一p型掺杂及一n型掺杂之一, 且该掺杂配置为提供一最高掺杂浓度于接近该通 道区域的该中心部分。 14.如申请专利范围12所述之方法,其中该第一掺杂 区域具有介于约11013原子/平方公分至约11015原子 /平方公分的一n型掺杂剂量。 15.如申请专利范围12所述之方法,其中该第一掺杂 区域具有介于约11013原子/平方公分至约11015原子 /平方公分的一p型掺杂剂量。 16.如申请专利范围12所述之方法,其中该多位元记 忆体细胞: 一隧道层,位于该基材之上; 一电荷捕捉层,位于该隧道层之上; 一绝缘层,位于该电荷捕捉层之上;以及 一闸极,位于该绝缘层之上。 17.如申请专利范围16所述之方法,其中 该隧道层包含一第一氧化矽层; 该电荷捕捉层包含一氮化矽层;以及 该绝缘层包含一第二氧化矽层。 图式简单说明: 第一图为习知技术中的非挥发性记忆体细胞的一 例式结构的示意图; 第二图为根据本发明之一较佳实施例的一多位元 记忆体细胞的一剖面图; 第三图显示根据较佳实施例,作为通道区域中位置 的函数的掺杂浓度图。 |
