| 主权项 |
1.一种利用双镶嵌制程来形成T型多晶矽闸极的方 法,包括下列步骤: 提供一半导体基底,其内系形成有隔离区域; 在该半导体基底上依序形成一氧化层,一氮化物层 ,及一图案化第一光阻层; 以该图案化第一光阻层为罩幕,对该氮化物层与该 氧化层进行蚀刻,直至暴露出该半导体基底为止, 以形成一第一沟槽; 对该图案化第一光阻层进行一回蚀刻,以形成一第 二图案化光阻层; 以该图案化第二光阻层为罩幕,对该氮化物层进行 蚀刻,使该氮化物层形成一第二沟槽,然后移除该 图案化第二光阻层; 对该半导体积底进行一氧化制程,使自该第一沟槽 暴露出之该半导体基底表面形成一闸极氧化层; 于该半导体基底上沉积一多晶矽层,并填满该第一 、第二沟槽,而后对该多晶矽层进行一平坦化制程 ;以及 移除剩余的该氮化物层,然后以该多晶矽层为罩幕 移除暴露出的该氧化层,以得到一T型轮廓之多晶 矽闸极。 2.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来 形成T型多晶矽闸极的方法,其中该氮化物层之材 质为氮氧化矽(SiON)或氮化矽。 3.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来 形成T型多晶矽闸极的方法,其中完成该T型轮廓之 多晶矽闸极后,接续可继续进行源/汲极的掺杂制 程。 4.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来 形成T型多晶矽闸极的方法,其中该氧化制程为快 速氧化制程。 5.如申请专利范围第4项所述之利用双镶嵌制程来 形成T型多晶矽闸极的方法,其中该快速氧化制程 是以氧气电浆来进行处理。 6.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来 形成T型多晶矽闸极的方法,其中该平坦化制程为 化学机械研磨法。 7.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来 形成T型多晶矽闸极的方法,其中该氟化物层系利 用低压化学气相沉积而成。 8.如申请专利范围第1项所述之利用双镶嵌制程来 形成T型多晶矽闸极的方法,其中于该半导体积底 上形成该氧化层前,可先于该半导体积底上形成一 蚀刻阻绝层,来防止对该氮化物层蚀刻蚀,可能对 该半导体积底造成的损伤。 9.如申请专利范围第8项所述之利用双镶嵌制程来 形成T型多晶矽闸极的方法,其中该蚀刻阻绝层之 材质为氮化物。 10.如申请专利范围第8项所述之利用双镶嵌制程来 形成T型多晶矽闸极的方法,其中该蚀刻阻绝层之 厚度略小于该氮化物层。 图式简单说明: 第一图至第七图为本发明之各步骤构造剖视图。 第八图至第十一图系为本发明加入一蚀刻阻绝层 后之各步骤构造剖视图。 |
