发明名称 100 MM SILICON CARBIDE WAFER WITH LOW MICROPIPE DENSITY
摘要 A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 100mm and a micropipe density of less than about 25 cm<SUP>-2</SUP>.
申请公布号 WO2006041660(A8) 申请公布日期 2007.09.07
申请号 WO2005US34352 申请日期 2005.09.27
申请人 CREE, INC.;POWELL, ADRIAN;BRADY, MARK;LEONARD, ROBERT, TYLER 发明人 POWELL, ADRIAN;BRADY, MARK;LEONARD, ROBERT, TYLER
分类号 C30B29/36;C30B23/00;C30B33/10 主分类号 C30B29/36
代理机构 代理人
主权项
地址