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发明名称
100 MM SILICON CARBIDE WAFER WITH LOW MICROPIPE DENSITY
摘要
A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 100mm and a micropipe density of less than about 25 cm<SUP>-2</SUP>.
申请公布号
WO2006041660(A8)
申请公布日期
2007.09.07
申请号
WO2005US34352
申请日期
2005.09.27
申请人
CREE, INC.;POWELL, ADRIAN;BRADY, MARK;LEONARD, ROBERT, TYLER
发明人
POWELL, ADRIAN;BRADY, MARK;LEONARD, ROBERT, TYLER
分类号
C30B29/36;C30B23/00;C30B33/10
主分类号
C30B29/36
代理机构
代理人
主权项
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