发明名称 PROCEDE DE STRUCTURATION ELECTROCHIMIQUE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE.
摘要 L'invention propose un procédé et un dispositif de micro et/ou nano-structuration électrochimique fiable, rapide, simple, facile à mettre en oeuvre et reproductible.A cette fin, l'invention a pour objet un procédé de structuration électrochimique d'un échantillon (12) en un matériau conducteur ou semiconducteur et comprenant deux faces opposées avant (11 ) et arrière (13).Le procédé comprend les étapes consistant à mettre au moins la face avant (11) de l'échantillon (12) en contact avec au moins une solution électrolytique (4) stockée dans au moins un réservoir (3), à disposer au moins une contre-électrode (6) dans l'électrolyte (4) en regard de la face avant (11) de l'échantillon (12) qui doit être structurée, à disposer au moins une électrode de travail (7) en contact ohmique sec avec la face arrière (13) de l'échantillon (12) et présentant des motifs de structuration (14), et à appliquer un courant électrique entre les deux électrodes pour obtenir une réaction électrochimique à l'interface de la face avant (11) de l'échantillon (12) et de l'électrolyte (4) avec une densité de courant qui est modulée par les motifs de structuration (14) de l'électrode de travail(7) pour former une gravure ou un dépôt sur la face avant (11 ) de l'échantillon (12).
申请公布号 FR2898138(A1) 申请公布日期 2007.09.07
申请号 FR20060001924 申请日期 2006.03.03
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE INDUSTRIEL ET COMMERCIAL 发明人 BUTTARD DENIS
分类号 C25F3/14;B81C1/00;C25D5/18;H01L21/3063 主分类号 C25F3/14
代理机构 代理人
主权项
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