METHOD FOR FORMING HDP OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING PLASMA CONTAINING H2,申请号KR20040019248-传众专利搜索

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发明名称	METHOD FOR FORMING HDP OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING PLASMA CONTAINING H2
摘要
申请公布号	KR100756793(B1)	申请公布日期	2007.09.07
申请号	KR20040019248	申请日期	2004.03.22
申请人		发明人
分类号	H01L21/205	主分类号	H01L21/205
代理机构		代理人
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