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<p>Beschrieben wird ein Verfahren zum Trennen eines Wafers (10, 16), der erste und zweite Schichten (10, 16) enthält. Eine Vorderseite (10b) der ersten Schicht (10) kontaktiert eine Rückseite (16a) der zweiten Schicht (16). Das Verfahren umfasst im Wesentlichen das Ausbilden eines Versiegelungsfilms (31) an der zweiten Schicht (16), das Schneiden der ersten Schicht (10) von einer Rückseite (10a) her entlang einer Trennlinie, um eine Kerbe (10f) zu bilden, das Entfernen des Versiegelungsfilms (31), das Richten eines Laserstrahls auf die Vorderseite (16b) der zweiten Schicht (16) entlang der Trennlinie, um einen Spaltbereich (R) in der zweiten Schicht (16) durch einen Multiphotonen-Absorptionseffekt zu bilden und das Trennen des Wafers (10, 16) entlang der Trennlinie mit dem Spaltbereich (R) als Ausgangspunkt des Trennvorgangs.</p> |
