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Es wird ein einfaches Verfahren zur Herstellung von integrierten mikro-elektro-mechanischen Bauelementen bereitgestellt, bei dem zunächst eine Siliziumschicht (2) auf einer Isolatorschicht (1), dann eine piezoresistive Schicht (7) auf oder in der Siliziumschicht (2) und anschließend mindestens eine Ätzöffnung (3) zum Ätzen wenigstens eines Hohlraums (5) im Wesentlichen innerhalb der Siliziumschicht (2) hergestellt wird. Durch Anordnen von zusätzlichen vertikalen und horizontalen Ätzstoppschichten wird die Form des Hohlraums (5) in der Siliziumschicht (2) vorgegeben und der Ätzvorgang gut reproduzierbar. Das Verfahren eignet sich, um insbesondere mit den zur Signalaufbereitung und Signalverarbeitung nötigen Schaltungskomponenten in Standardfertigungsprozesse integriert zu werden.
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