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Ein Verfahren zur Herstellung von Transistoren (21) einer ersten und zweiten Art, insbesondere Dünnfilmtransistoren, auf einem Substrat umfasst die Verfahrensschritte: a. Erzeugung von dotierten Halbleiterinseln mit einem ersten Leitfähigkeitstyp in Kontaktbereichen der Transistoren (20) erster Art; b. ganzflächiges Abscheiden einer ersten intrinsischen Halbleiterschicht; c. Aktivierung der Dotanden in den Halbleiterinseln, derart, dass in der intrinsischen Halbleiterschicht ein Kontaktbereich mit dem ersten Leitfähigkeitstyp entsteht; d. Abscheiden eines Gatedielektrikums; e. Erzeugung einer Gateelektrode (7a, 7b) durch Abscheiden einer ersten leitfähigen Schicht und Strukturierung dieser Schicht; f. Ionendotierung mit Dotanden zur Erzeugung von Kontaktbereichen mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp für eine zweite Art von Transistoren (21); g. Abscheiden einer Passivierungsschicht; h. Öffnen von Kontaktöffnungen; i. Abscheiden und Strukturierung einer zweiten leitfähigen Schicht (11).
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