具有变细的下本体部分的非平面器件及制造方法

摘要

一种非平面半导体器件具有形成在衬底的绝缘层上的半导体本体。半导体本体具有与形成在绝缘层上的底表面相对的顶表面和一对横向相对的侧壁，其中在顶表面处的横向相对的侧壁之间的距离大于在底表面处的横向相对的侧壁之间的距离。在半导体本体的顶表面和半导体本体的侧壁上形成栅介质层。在半导体本体的顶表面和侧壁上的栅介质层上形成栅电极。在半导体本体中、在栅电极的相对侧上形成一对源极/漏极区。

主权项

1、一种半导体器件，包括：形成在衬底的绝缘层上的半导体本体，所述半导体本体具有与形成在所述绝缘层上的底表面相对的顶表面以及一对横向相对的侧壁，其中在所述顶表面处的所述横向相对的侧壁之间的距离大于在所述底表面处的所述横向相对的侧壁之间的距离；形成在所述半导体本体的所述顶表面和所述半导体本体的所述侧壁上的栅介质层；形成在所述半导体本体的所述顶表面和侧壁上的所述栅介质层上的栅电极；以及形成在所述半导体本体中的、位于所述栅电极的相对侧上的一对源极/漏极区。